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LA TECHNOLOGIE ÉLECTRONIQUE CIE. DE QIN XIN (HONG KONG), A LIMITÉ

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3.3V 4A IGBT MOSFET Gate Driver IC NCV57001FDWR2G Emballage de bobine

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China 3.3V 4A IGBT MOSFET Gate Driver IC NCV57001FDWR2G Emballage de bobine wholesale
  • China 3.3V 4A IGBT MOSFET Gate Driver IC NCV57001FDWR2G Emballage de bobine wholesale

3.3V 4A IGBT MOSFET Gate Driver IC NCV57001FDWR2G Emballage de bobine
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Number modèle :NCV57001FDWR2G
Point d'origine :SUR
Quantité d'ordre minimum :1
Conditions de paiement :T/T
Capacité d'approvisionnement :3000
Détails de empaquetage :Les cartons
Fabricant :onsemi
Catégorie de produit :Conducteurs de porte
Produit :IGBT, conducteurs de porte de transistor MOSFET
Montage du style :SMD/SMT
Nombre de conducteurs :1 conducteur
Courant de sortie :4 A
Tension d'alimentation - minute :3,3 V
Configuration :Inverser, Non-inversant
Temps de montée :10 NS
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emballage de bobine d'IC NCV57001FDWR2G de conducteur de porte de transistor MOSFET de 3.3V 4A IGBT

Commande IC SOIC-16 de porte de NCV57001FDWR2G [E À FORTE INTENSITÉ ET ÉLEVÉ D'ISOLEMENT]

onsemi
Conducteurs de porte
RoHS : Détails
IGBT, conducteurs de porte de transistor MOSFET
SMD/SMT
1 conducteur
1 sortie
4 A
3,3 V
5 V
Inverser, Non-inversant
10 NS
15 NS
- 40 C
+ 125 C
Bobine
Coupez la bande
Marque : onsemi
Type de produit : Conducteurs de porte
1000
Sous-catégorie : PMIC - Gestion IC de puissance
Mots clés du produit:

3 phase mosfet driver

mosfet module tp6c07001

mosfet driver ic
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