Puissance de la Manche 500mV 30V rf des transistors N de transistor MOSFET d'AFT05MS003NT1

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Number modèle :AFT05MS003NT1

Quantité d'ordre minimum :1

Conditions de paiement :T/T

Capacité d'approvisionnement :jours 10000+3-5work

Délai de livraison :3-5 jours de travail

Détails de empaquetage :SOT-89-3, Coupez la bande, bobine

Catégorie de produit :Transistors de transistor MOSFET de rf

Polarité de transistor :N-canal

Paquet/cas :SOT-89-3

Nombre de canaux :La 1 Manche

Fréquence d'opération :1,8 mégahertz à 941 mégahertz

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Puissance de la Manche 500mV 30V rf des transistors N de transistor MOSFET d'AFT05MS003NT1

AFT05MS003NT1, , transistors de transistor MOSFET de rf, N-canal, - 500 systèmes mv, 30 V, transistor MOSFET de puissance de rf, 1,8 mégahertz à 941 mégahertz, 20,8 DB, SOT-89-3

Attribut de produit	Valeur d'attribut
Fabricant :
Catégorie de produit :	Transistors de transistor MOSFET de rf
Polarité de transistor :	N-canal
Technologie :	SI
Identification - courant continu de drain :	2,6 A
Vds - tension claque de Drain-source :	- 500 systèmes mv, 30 V
Fréquence d'opération :	1,8 mégahertz à 941 mégahertz
Gain :	DB 20,8
De puissance de sortie :	3,2 W
Température de fonctionnement minimum :	- 40 C
Température de fonctionnement maximum :	+ 150 C
Montage du style :	SMD/SMT
Paquet/cas :	SOT-89-3
Emballage :	Bobine
Emballage :	Coupez la bande
Marque :	Semi-conducteurs de
Nombre de canaux :	La 1 Manche
Palladium - dissipation de puissance :	30,5 W
Type de produit :	Transistors de transistor MOSFET de rf
Sous-catégorie :	Transistors MOSFET
Type :	Transistor MOSFET de puissance de rf
Vgs - tension de Porte-source :	- 6 V, 12 V
Th de Vgs - tension de seuil de Porte-source :	2,2 V
Partie # noms d'emprunt :	935312585147
Poids spécifique :	0,001792 onces

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