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Paquet de triode de mA de Silkscreen de transistor de MBT3904DW1T1G 40V NPN

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Pays / Région:china
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Paquet de triode de mA de Silkscreen de transistor de MBT3904DW1T1G 40V NPN

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Number modèle :MBT3904DW1T1G
Point d'origine :SUR
Quantité d'ordre minimum :1
Conditions de paiement :T/T
Capacité d'approvisionnement :3000
Détails de empaquetage :Les cartons
Fabricant :onsemi
Montage du style :SMD/SMT
Paquet/cas :SC-70-6
Polarité de transistor :NPN
Configuration :Double
Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum :40 V
Tension de collecteur-base VCBO :60 V
Tension basse VEBO d'émetteur :6V
Palladium - dissipation de puissance :150 mW
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Paquet de triode de mA de Silkscreen de transistor de MBT3904DW1T1G 40V NPN

Transistor du paquet SOT-3630.2A 40V NPN de triode de mA de Silkscreen de MBT3904DW1T1G

onsemi
Transistors bipolaires - BJT
RoHS : Détails
SMD/SMT
SC-70-6
NPN
Double
40 V
60 V
6 V
300 système mv
200 mA
150 mW
300 mégahertz
- 55 C
+ 150 C
MBT3904DW1
Bobine
Coupez la bande
MouseReel
Marque : onsemi
Courant de collecteur continu : - 2 A
Collecteur de C.C/minute de référence de hfe de gain : 40
Taille : 0,9 millimètres
Longueur : 2 millimètres
Type de produit : BJTs - transistors bipolaires
30000
Sous-catégorie : Transistors
Technologie : SI
Largeur : 1,25 millimètres
Partie # noms d'emprunt : MBT3904DW1T3G
Poids spécifique : 0,000988 onces
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