Fabricant :	Diodes incorporées
Catégorie de produit :	Transistors bipolaires - BJT
RoHS :	Détails
Montage du style :	SMD/SMT
Paquet/cas :	SOT-363-6
Polarité de transistor :	NPN, PNP
Configuration :	Double
Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum :	40 V, - 40 V
Tension de collecteur-base VCBO :	60 V, - 40 V
Tension basse VEBO d'émetteur :	6 V, - 5 V
Tension de saturation de collecteur-émetteur :	750 système mv, - 750 système mv
Courant de collecteur maximum de C.C :	600 mA, - 600 mA
Palladium - dissipation de puissance :	200 mW
Produit pi de largeur de bande de gain :	250 mégahertz, 200 mégahertz
Température de fonctionnement minimum :	- 55 C
Température de fonctionnement maximum :	+ 150 C
Série :	MMDT44
Emballage :	Bobine
Emballage :	Coupez la bande
Emballage :	MouseReel
Marque :	Diodes incorporées
Courant de collecteur continu :	0,6 A
HFE de gain actuel de C.C maximum :	300
Taille :	1 millimètre
Longueur :	2,2 millimètres
Type de produit :	BJTs - transistors bipolaires
	3000
Sous-catégorie :	Transistors
Technologie :	SI
Largeur :	1,35 millimètres
Poids spécifique :	0,000212 onces