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LA TECHNOLOGIE ÉLECTRONIQUE CIE. DE QIN XIN (HONG KONG), A LIMITÉ

Pays / Région:china

Contact:sales

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Le microcontrôleur de NVD5867NLT4G ébrèche 43 le transistor MOSFET NFET de transistor MOSFET de l'OHM 60V 22A

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Number modèle :NVD5867NLT4G

Point d'origine :LES Etats-Unis

Quantité d'ordre minimum :10

Conditions de paiement :T/T

Capacité d'approvisionnement :bobine 7500pcs

Détails de empaquetage :bobine 7500pcs

Catégorie de produit :Transistor MOSFET

RoHS :Détails

Technologie :SI

Montage du style :SMD/SMT

Paquet/cas :TO-252-3

Polarité de transistor :N-canal

Nombre de canaux :La 1 Manche

Vds - tension claque de Drain-source :60V

Identification - courant continu de drain :22 A

Le RDS sur - la résistance de Drain-source :39 mOhms

Vgs - tension de Porte-source :- 20 V, + 20 V

Th de Vgs - tension de seuil de Porte-source :1,5 V

Qg - charge de porte :15 OR

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Mots clés du produit:

mosfet 2n7000

mosfet ic number

ic chip l1248817

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