LA TECHNOLOGIE ÉLECTRONIQUE CIE. DE QIN XIN (HONG KONG), A LIMITÉ

Winning doesn't have to have capital, but to give up will lose

Manufacturer from China
Membre actif
3 Ans
Accueil / produits / Field Programmable Gate Array /

Fossé programmable de puissance de la Manche du réseau prédiffusé de champ de FDMC4435BZ 30V P

Contacter
LA TECHNOLOGIE ÉLECTRONIQUE CIE. DE QIN XIN (HONG KONG), A LIMITÉ
Pays / Région:china
Contact:sales
Contacter

Fossé programmable de puissance de la Manche du réseau prédiffusé de champ de FDMC4435BZ 30V P

Demander le dernier prix
Number modèle :FDMC4435BZ
Point d'origine :SUR
Quantité d'ordre minimum :3000
Conditions de paiement :T/T
Capacité d'approvisionnement :10000
Délai de livraison :5-8 jours ouvrables
Détails de empaquetage :Emballage de carton
Fabricant :onsemi
Catégorie de produit :Transistor MOSFET
Technologie :SI
Montage du style :SMD/SMT
Paquet/cas :Power-33-8
Polarité de transistor :P-canal
Nombre de canaux :La 1 Manche
more
Contacter

Add to Cart

Trouver des vidéos similaires
Voir la description du produit

Fossé programmable de puissance de la Manche du réseau prédiffusé de champ de FDMC4435BZ 30V P

P-canal PowerTrench du transistor MOSFET -30V de FDMC4435BZ

onsemi
Transistor MOSFET
RoHS : Détails
SI
SMD/SMT
Power-33-8
P-canal
La 1 Manche
30 V
8,5 A
20 mOhms
- 25 V, + 25 V
3 V
53 OR
- 55 C
+ 150 C
2,3 W
Amélioration
PowerTrench
Bobine
Coupez la bande
MouseReel
Marque : onsemi/Fairchild
Configuration : Simple
Temps de chute : 20 NS
Taille : 0,8 millimètres
Longueur : 3,3 millimètres
Type de produit : Transistor MOSFET
Temps de montée : 6 NS
Série : FDMC4435BZ
Quantité de paquet d'usine 3000
Sous-catégorie : Transistors MOSFET
Type de transistor : 1 P-canal
Temps de retard d'arrêt typique : 34 NS
Temps de retard d'ouverture typique : 10 NS
Largeur : 3,3 millimètres
Poids spécifique : 0,007055 onces
Inquiry Cart 0