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SI1902CDL-T1-GE3 transistor MOSFET 20V Vds 12V Vgs SC70-6

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Pays / Région:china
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SI1902CDL-T1-GE3 transistor MOSFET 20V Vds 12V Vgs SC70-6

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Number modèle :SI1902CDL-T1-GE3
Quantité d'ordre minimum :3000
Conditions de paiement :T/T
Détails de empaquetage :Cartonnez packging
Polarité de transistor :N-canal
Nombre de canaux :La Manche 2
Vds - tension claque de Drain-source :20 V
Identification - Courant continu de drain :1,1 A
Le RDS sur - la résistance de Drain-source :235 mOhms
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Transistor MOSFET 20V Vds 12V Vgs SC70-6

Attribut de produit Valeur d'attribut
Vishay
Catégorie de produit : Transistor MOSFET
RoHS : Détails
SI
SMD/SMT
SOT-363-6
N-canal
La Manche 2
20 V
1,1 A
235 mOhms
- 12 V, + 12 V
1,5 V
2 OR
- 55 C
+ 150 C
420 mW
Amélioration
TrenchFET
SI1
Bobine
Coupez la bande
MouseReel
Marque : Semi-conducteurs de Vishay
Configuration : Double
Temps de chute : 10 NS
Taille : 0,75 millimètres
Longueur : 2,05 millimètres
Type de produit : Transistor MOSFET
Temps de montée : 13 NS
3000
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