TECHNOLOGIE DES SONDES CIE., LTD DE QINGDAO DASS.

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Photodétecteur micro infrarouge de GaAs LED, matière plastique photoélectrique de capteur de proximité

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TECHNOLOGIE DES SONDES CIE., LTD DE QINGDAO DASS.
Ville:qingdao
Province / État:shandong
Pays / Région:china
Contact:MrMA NING
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Photodétecteur micro infrarouge de GaAs LED, matière plastique photoélectrique de capteur de proximité

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Brand Name :DASS
Model Number :DS-ES
Certification :CE
Place of Origin :CHINA
MOQ :1000 PCS
Price :USD4-6/PC
Payment Terms :T/T
Supply Ability :30000 PCS ONE MONTHS
Delivery Time :7 DAYS
Packaging Details :CARTON
Photoelectric Sensor :Anti-light interference
U-type Photoelectric Sensor :Inspection Frequency>2KHZ
Photoelectric Slot Sensor :Anti-power interference
Service Environment :Ability to adapt to environmental pollution
Weight :29g
Color :Black
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Capteur photoélectrique de /U-type de capteur photoélectrique en U/capteur photoélectrique de fente

 

Photomicrosensor avec l'amplificateur intégré et le câble joint réduit l'interférence légère externe.
• La modulation légère réduit effectivement l'interférence légère externe.
• Grand choix de tension d'opération : 5 à 24 volts continu
• Pour l'information la plus récente sur les modèles qui ont été certifiés pour des normes de sécurité, surveillance facile d'opération avec l'indicateur léger lumineux.

• Surveillance facile d'opération avec l'indicateur léger lumineux.

 

Modèle

NPN

DS-ES61P DS-ES62 DS-ES63 DS-ES64
PNP DS-ES61P DS-ES62P DS-ES63P DS-ES64P
Détection de la distance
(largeur de fente)
5mm (largeur de fente)
Détection de l'objet Opaque : 2 × 0,8 millimètre mn.
Distance différentielle 0.025mm
Source lumineuse GaAs LED infrarouge (éclairage d'impulsion) avec une longueur d'onde maximale de 940 nanomètre      
manière de sortie N= NPN.NO.NC P= PNP.NO.NC
tension 5 à 24 volts continu ±10%, ondulation (pp) : maximum de 10%.
Consommation actuelle Moyenne : 35 mA de maximum (NPN). ; Crête : maximum de 30 mA (PNP)   
Illumination ambiante maximum de 1 000 lx avec la lumière incandescente sur la surface du récepteur   
Température ambiante de température ambiante Opération : −25 à +55°C
Stockage : −30 à +80°C
Humidité relative ambiante Opération : 5% à 85%
Stockage : 5% à 95%
Résistance de vibration Destruction : 20 à 2000 hertz,
1,5 millimètres d'amplitude de double pour 2 h chacun dans des directions de X, de Y, et de Z
Résistance aux chocs Destruction : 500 m/s2 pendant 3 fois
chacun dans des directions de X, de Y, et de Z
Degré de protection LE CEI IP50
Méthode se reliante Précablé (longueur de câble standard : 1 m)
Fréquence de réponse Minute de 1 kilohertz (moyenne 3 kilohertz)
Poids 29g
Commandez la sortie Tension de NPN produite :
Tension d'alimentation électrique de charge : 5 à 24 volts continu
Courant de charge : maximum de 100 mA.
OUTRE du courant : 0,8 maxima de mA.
courant de charge de 100 mA avec une tension résiduelle de 0,8 maxima de V.
courant de charge de 40 mA avec une tension résiduelle de 0,4 V maximum, tension de PNP produite :
Tension d'alimentation électrique de charge : 5 à 24 volts continu
Courant de charge : maximum de 50 mA.
OUTRE du courant : maximum de 1,3 mA.
courant de charge de 50 mA avec une tension résiduelle de 1,3 V maximum
Matériel Matériel de Shell : PBT/ABS
Pervious pour allumer la partie : PC

 

 

Photodétecteur micro infrarouge de GaAs LED, matière plastique photoélectrique de capteur de proximité

 

Mots clés du produit:
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