LA TECHNOLOGIE HK DE MMR A LIMITÉ

MMR TECHNOLOGY HK LIMITED

Manufacturer from China
Membre actif
2 Ans
Accueil / produits / Insulated Gate Bipolar Transistor /

Le module IGBT de la MITSUBISHI CM150DY-24A est de 1,2 kV 150A 960W.

Contacter
LA TECHNOLOGIE HK DE MMR A LIMITÉ
Pays / Région:china
Contact:MsMiao
Contacter

Le module IGBT de la MITSUBISHI CM150DY-24A est de 1,2 kV 150A 960W.

Demander le dernier prix
Chaîne vidéo
Point d'origine :LA CHINE
Numéro de modèle :CM150DY-24A
Conditions de paiement :T/T
Voltage collecteur-émetteur (Vces) :1200 V
Courant de collecteur continu (IC) :150A
Courant du collecteur (Icp) :300A
Dissipation de puissance maximale (Pc) :960W
Tension de saturation de collecteur-émetteur (Vce (s'est reposé)) :2.2V (typique)
Le système de régulation de l'intensité de l'électricité doit être équipé d'un système de régulation :5.0V (typique)
courant de fuite de Porte-émetteur :500nA
Voltage de l'émetteur de la porte (Vge) :±20V
Température de fonctionnement minimale  :-40°C
La température de jonction maximum (TJMAX) :+150°C
Température de stockage (TSTG) :-40°C à +125°C
-40°C à +125°C :0.2KG
Dimensions du module (W x D x H) :62 mm x 30 mm x 17 mm
Tension maximum d'émetteur de porte :20 V
more
Contacter

Add to Cart

Voir la description du produit

Description du produit:

 

MITSUBISHI CM150DY-24A module IGBT, une solution fiable et haute performance pour vos besoins en électronique de puissance.le rendant adapté à un large éventail d'applications.

 

Avec une tension nominale de 1200V, le CM150DY-24A offre un contrôle de puissance robuste et efficace.Que vous travailliez sur des moteursPour les systèmes de conversion d'énergie électrique, tels que les transformateurs ou autres systèmes de conversion de puissance, ce module offre d'excellentes performances et fiabilité.

 

Le module IGBT CM150DY-24A est conçu pour gérer une dissipation de puissance élevée, assurant une gestion thermique optimale.tout en offrant une durabilité et une fiabilité à long terme.

 

 

 

Le module IGBT de la MITSUBISHI CM150DY-24A est de 1,2 kV 150A 960W.Le module IGBT de la MITSUBISHI CM150DY-24A est de 1,2 kV 150A 960W.Le module IGBT de la MITSUBISHI CM150DY-24A est de 1,2 kV 150A 960W.Le module IGBT de la MITSUBISHI CM150DY-24A est de 1,2 kV 150A 960W.Le module IGBT de la MITSUBISHI CM150DY-24A est de 1,2 kV 150A 960W.

Inquiry Cart 0
tu as peut - être
FUJI 2MBI600VN-170P-50 Module IGBT 1700V 600A
FUJI 2MBI600VN-170P-50 Module IGBT 1700V 600A
Le module IGBT de 12V 600A est fourni par MITSUBISHI
Le module IGBT de 12V 600A est fourni par MITSUBISHI
Les modules IGBT de MITSUBISHI PM50RL1C060 IPM MODULE L1-SERIES 7-PAC 50A 600V sont utilisés pour le traitement de l'énergie électrique
Les modules IGBT de MITSUBISHI PM50RL1C060 IPM MODULE L1-SERIES 7-PAC 50A 600V sont utilisés pour le traitement de l'énergie électrique
Le module IGBT de MITSUBISHI CM300DY-24H est de 1200V 300A 2100W
Le module IGBT de MITSUBISHI CM300DY-24H est de 1200V 300A 2100W
Le système d'exploitation de l'appareil doit être équipé d'un moteur électrique.
Le système d'exploitation de l'appareil doit être équipé d'un moteur électrique.
FUJI 2MB1300VN-170-50 Module IGBT 1200V 1595W 300A 2 paquets
FUJI 2MB1300VN-170-50 Module IGBT 1200V 1595W 300A 2 paquets
Usage universel du transistor IGBT de l'électronique
Usage universel du transistor IGBT de l'électronique
Transistor de puissance bipolaire d'IGBT par le trou
Transistor de puissance bipolaire d'IGBT par le trou
Transistor bipolaire isolé discret de porte avec le module mou ultra-rapide de la diode ABB IGBT de récupération
Transistor bipolaire isolé discret de porte avec le module mou ultra-rapide de la diode ABB IGBT de récupération
Le module de blocage d'alimentation doit être équipé d'un module de blocage d'alimentation de 600V 60A 150W.
Le module de blocage d'alimentation doit être équipé d'un module de blocage d'alimentation de 600V 60A 150W.
Le module IGBT ABB 5SNA1200E330100 est équipé de 3300V 1200A
Le module IGBT ABB 5SNA1200E330100 est équipé de 3300V 1200A
Le module IGBT de l'Infineon FF300R12KE4 FF300R12KE4_E est de 1,95 kW 1,2 kV 370 A.
Le module IGBT de l'Infineon FF300R12KE4 FF300R12KE4_E est de 1,95 kW 1,2 kV 370 A.
Modules des véhicules à moteur de l'électrode bipolaire IGBT de transistors de porte isolés par instrument
Modules des véhicules à moteur de l'électrode bipolaire IGBT de transistors de porte isolés par instrument
Le MMR a isolé les modules bipolaires IGBT 400a 600v 1200v de diode de transistor de porte
Le MMR a isolé les modules bipolaires IGBT 400a 600v 1200v de diode de transistor de porte
IGBT bipolaire isolé de transistor de porte avec la diode douce ultrarapide de rétablissement
IGBT bipolaire isolé de transistor de porte avec la diode douce ultrarapide de rétablissement
envoyer votre message à ce fournisseur
*De:
*À:

LA TECHNOLOGIE HK DE MMR A LIMITÉ

*Assujettir:
*Message:
caractères autres : (0/3000)
Contacter
Contacter
Exigence de soumission