Des disques de molybdène sont employés dans l'industrie de semi-conducteur comme matériaux de contact
1. Description de disque de molybdène utilisée pour l'industrie de semi-conducteur :
Des disques de molybdène ser fréquemment des matériaux de contact dans GTOs, transistors, et des diodes de redresseur commandé par silicium. Maintenant, en raison de son coût bas et poids léger mêmes, le molybdène est le matériel du choix pour monter des dispositifs de semi-conducteur de puissance excepté quelques utilisations spéciales. Les deux matériaux, silicium et molybdène, ont le même coefficient d'expansion et chacun des deux ont la conduction thermique élevée, leur faisant des choix idéaux, particulièrement pour les dispositifs de puissance de vaste zone qui produisent de beaucoup de chaleur. Plus d'applications incluent le molybdène comme base de radiateur pour les produits composants de semi-conducteur, les circuits intégrés à grande échelle, et les circuits hybrides.
2. Taille de disque de molybdène utilisée pour l'industrie de semi-conducteur :
Disque de MOIS
Épaisseur X du diamètre (10-500mm) (0.1-40) millimètre
Densité : 10.2g/cm3
Pureté : 99,95%
meterial : Mo1, TZM, MOIS-La
Surface : noir, C.C, lumineux, poli
Norme : ASTMB 386 ou ASTM B387
Comme en a été faite la demande par l'acheteur, d'autres tailles peuvent être produites.
Sont ci-dessous quelques tailles pour la référence :
| Épaisseur |
Diamètre |
| millimètre |
pouce |
millimètre |
pouce |
| 0.1 - 0,3 |
0.004 - 0,012 |
1.0 - 50,0 |
0.040 - 2,0 |
| 0.31 - 0,5 |
0.012 - 0,020 |
1.0 - 50,0 |
0.040 - 2,0 |
| 0.51 - 1,0 |
0.020 - 0,040 |
2.0 - 80,0 |
0.080 - 3,2 |
| 1.1 - 2,0 |
0.040 - 0,080 |
10.0 - 130,0 |
0.40 - 5,2 |
| 2.1 - 3,0 |
0.080 - 0,120 |
20.0 - 130,0 |
0.80 - 5,2 |
| 3.1 - 4,0 |
0.120 - 0,160 |
40.0 - 100,0 |
1.60 - 4,0 |
| 4.1 - 6,0 |
0.160 - 0,240 |
50.0 - 90,0 |
2.0 - 3,6 |
3. caractéristiques de disque de molybdène utilisées pour l'industrie de semi-conducteur :
Le molybdène a un point de fusion élevée.
Bas coefficient de dilatation thermique.
Conduction thermique élevée.
Basse résistivité.
Dureté élevée.
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