MOIS + disque d'alliage de molybdène de 0.40-0.55%Ti + de 0.06-0.12%Zr TZM
1. Description de disque d'alliage de molybdène de Mo+0.4~0.55%Ti+0.06~0.12%Zr TZM :
Le disque d'alliage de molybdène de TZM est actuellement le matériel à hautes températures de l'alliage de molybdène le plus excellent. C'est durcissement solide d'une solution et alliage basé sur molybdène renforcé par particule, TZM est plus dur que le métal pur de molybdène, et a une température plus élevée de recristallisation et une meilleure résistance au fluage, la température de recristallisation est le ℃ environ 1400, beaucoup plus haut pour le molybdène, il peut fournir un meilleur solderability.
2. Taille de disque d'alliage de molybdène de Mo+0.4~0.55%Ti+0.06~0.12%Zr TZM :
Diamètre de disque : 20-600mm
Épaisseur de disque : 6-25mm
Surface : noir, C.C, lumineux, poli
Norme : ASTMB 386
Également nous pouvons traiter selon la demande du client.
3. propriétés mécaniques de disque d'alliage de molybdène de Mo+0.4~0.55%Ti+0.06~0.12%Zr TZM :
|
Élongation
/%
|
Module élastique
/GPa
|
Limite conventionnelle d'élasticité
/MPa
|
Résistance à la traction
/MPa
|
Dureté de fracture
/(député britannique·m1/2)
|
|
<20> |
320
|
560~1150
|
685
|
5.8~29.6
|
4. Composition chimique mesurée réelle de disque d'alliage de molybdène de TZM :
| Élément |
SI |
Manganèse |
Ni |
Cu |
V |
Zr |
O |
P |
Fe |
Magnésium |
| Concentration (%) |
0,002 |
0,0009 |
0,0008 |
0,0018 |
0,013 |
0,086 |
0,32 |
0,001 |
0,0011 |
0,0015 |
| Élément |
Al |
Ti |
Ca |
C |
N |
|
|
|
|
|
| Concentration (%) |
0,001 |
0,5 |
<0>
| 0,012 |
0,0022 |
|
|
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|
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| Pureté (socle métallique) Mo≥99.06% (TZM) |
5. application de disque d'alliage de molybdène de Mo+0.4~0.55%Ti+0.06~0.12%Zr TZM :
Disque d'alliage de molybdène de TZM principalement utilisé pour les composants à hautes températures de four, les creusets, les missiles et tout autre col de tuyère sous la haute température.
Le disque d'alliage de molybdène de TZM sont très utilisé comme matériaux de contact dans les diodes de redresseurs commandés de silicium, les transistors et des thyristors (GTO). Autre que dans des applications de spécialiste, du molybdène est maintenant accepté comme premier matériel de montage bien choisi pour des dispositifs de semi-conducteur de puissance dus à son sensiblement plus peu coûteux et poids. Le fait que les deux matériaux ont un coefficient d'expansion semblable au silicium combiné avec la conduction thermique élevée leur fait un choix idéal, particulièrement dans des dispositifs de puissance de vaste zone où la chaleur considérable est produite. D'autres applications incluent l'utilisation du molybdène comme bases de radiateur dans IC, des LSI et des circuits hybrides.
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