ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

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G8370-81 InGaAs PIN Photodiode Faible perte de dépendance à la polarisation PDL

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Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
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G8370-81 InGaAs PIN Photodiode Faible perte de dépendance à la polarisation PDL

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Number modèle :G8370-81
Point d'origine :Le Japon
Quantité d'ordre minimum :1
Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité à fournir :2000 pièces/mois
Délai de livraison :jours 3-5work
Détails de empaquetage :Dans une boîte
la zone photosensible est :φ1,0 mm
Nombre de pixels :1
Encapsulé :Métal
le type d'encapsulation est :TO-18
Mode de refroidissement :Non refroidi
la plage de réponse spectrale est :00,9 à 1,7 μm
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Description du produit:

G8370-81 InGaAs PIN Photodiode Faible perte de dépendance à la polarisation PDL

 

Caractéristiques:

Faible PDL (perte dépendante de la polarisation)

La photodiode InGaAs PIN G8370-81 présente une faible PDL (perte dépendante de la polarisation), une grande résistance à la merde et un très faible bruit à 1.55Je vous en prie.

Caractéristiques du produit

Faible PDL (perte dépendante de la polarisation)

● Faible bruit, faible courant sombre

● Grande surface photographique

● Zone sensible à la lumière:φ1 mm

Puissance équivalente bruit (valeur type) 2×10 à 14 W/hz1/2

Conditions de mesure TYP.TA =25°C, photosensibilité: λ=λp, courant sombre: VR=1 V, fréquence de coupure:Pour les véhicules à moteur à combustionω, -3 dB, capacité terminale: VR=1 V, F=1 MHz, sauf indication contraire

 

Les spécifications:

la longueur d'onde de sensibilité maximale (valeur typique) était 10,55 μm
Sensitivité (valeur typique) 1.1 A/W
Courant sombre (maximum) 5 nA
Fréquence de coupe (valeur typique) 35 MHz
Capacité de jonction (valeur typique) 90 pF
Puissance équivalente bruit (valeur typique) 2 × 10-14 W/hz1/2

G8370-81 InGaAs PIN Photodiode Faible perte de dépendance à la polarisation PDL

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