ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.
La société préconise la culture d'entreprise de la « intégrité et le dévouement, l'innovation pragmatique, l'unité et la coopération, la diligence et le progrès », prête l'attention à la gestion
Add to Cart
Description de produit :
La photodiode infrarouge de silicium de S1337-66BQ est utilisée pour la détermination photométrique précise dans l'ultraviolet à la bande infrarouge
Caractéristiques :
Approprié à la détermination photométrique précise à partir de l'ultraviolet à la bande infrarouge
Sensibilité UV élevée : QE = 75% (λ=200 nanomètre)
Basse capacité
États de mesure : Ta=25 ℃, type., sauf indication contraire, photosensibilité : λ=960 nanomètre, courant d'obscurité : VR=10 système mv, temps de montée : VR=0 V, capacité terminale : VR=0 V, f=10 kilohertz
Caractéristiques :
| Longueur d'onde maximale de sensibilité (valeur typique) | 960 nanomètre |
| Sensibilité (valeur typique) | 0,5 A/W |
| Courant d'obscurité (maximum) | PA 100 |
| Temps de montée (valeur typique) | la 1 MU s |
| Capacité de jonction (valeur typique) |
380 PF
|
