ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

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S1226-8BQ Photodiode de silicium pour photométrie de précision UV à visible supprimée près de la sensibilité IR

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Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
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S1226-8BQ Photodiode de silicium pour photométrie de précision UV à visible supprimée près de la sensibilité IR

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Number modèle :S1226-8BQ
Point d'origine :Le Japon
Quantité minimale de commande :1
Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité à fournir :3 000 pièces/pré
Délai de livraison :jours 3-5work
Détails de empaquetage :Dans une boîte
la zone photographique est :5.8 × 5,8 mm
Nombre de pixels :1
Réfrigération et :Non refroidi
Encapsulé :Métal
le type d'encapsulation est :TO-8
Voltage inverse (maximum) :5V
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Description du produit:

S1226-8BQ Photodiode de silicium pour photométrie de précision UV à visible supprimée près de la sensibilité IR

Caractéristiques:

● Haute sensibilité aux UV: QE = 75% (λ=200 nm)

● Supprimez la sensibilité aux IRN

● Faible courant sombre

● Une grande fiabilité

courant sombre (maximum) de 20 pA

Temps de montée (valeur typique).2 mu s

Capacité de jonction (valeur typique) 1200 pF

Condition de mesure Ta=25°C, type, sauf indication contraire, photosensibilité: λ=720 nm, courant sombre: VR=10 mV, capacité terminale:VR = 0 V, f = 10 kHz

Les spécifications:

Le système de régulation de la tension doit être équipé d'un système de régulation de la tension. 5V
la plage de réponse spectrale est 190 à 1000 nm
la longueur d'onde de sensibilité maximale (valeur typique) était 720 nm
Le type photoélectricité infrarouge

S1226-8BQ Photodiode de silicium pour photométrie de précision UV à visible supprimée près de la sensibilité IR

S1226-8BQ Photodiode de silicium pour photométrie de précision UV à visible supprimée près de la sensibilité IR

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