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Description du produit:
S1226-8BQ Photodiode de silicium pour photométrie de précision UV à visible supprimée près de la sensibilité IR
Caractéristiques:
● Haute sensibilité aux UV: QE = 75% (λ=200 nm)
● Supprimez la sensibilité aux IRN
● Faible courant sombre
● Une grande fiabilité
courant sombre (maximum) de 20 pA
Temps de montée (valeur typique).2 mu s
Capacité de jonction (valeur typique) 1200 pF
Condition de mesure Ta=25°C, type, sauf indication contraire, photosensibilité: λ=720 nm, courant sombre: VR=10 mV, capacité terminale:VR = 0 V, f = 10 kHz
Les spécifications:
Le système de régulation de la tension doit être équipé d'un système de régulation de la tension. | 5V |
la plage de réponse spectrale est | 190 à 1000 nm |
la longueur d'onde de sensibilité maximale (valeur typique) était | 720 nm |
Le type | photoélectricité infrarouge |