ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

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S3071 Si PIN Photodiode à grande zone photosensible à haute vitesse TO-8

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Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
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S3071 Si PIN Photodiode à grande zone photosensible à haute vitesse TO-8

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Number modèle :S3071
Point d'origine :Le Japon
Quantité d'ordre minimum :1
Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité à fournir :2000 pièces/mois
Délai de livraison :jours 3-5work
Détails de l'emballage :Tuyaux
la zone photographique est :φ5 mm
Nombre de pixels :1
Encapsulé :Métal
le type d'encapsulation est :TO-8
Le système de régulation de la tension doit être équipé d'un système de régulation de la tension. :50 V
la plage de réponse spectrale est :320 à 1060 nm
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Description du produit:

S3071 Si PIN Photodiode à grande zone photosensible à haute vitesse TO-8

 

Caractéristiques:

Photodiode à haute vitesse à silicium PIN de grande surface

Le S3071 a une grande zone photosensible, mais a une excellente réponse en fréquence à 40 MHz.Cette diode est adaptée à la détection FSO (optique de l'espace libre) et à la détection de la lumière pulsée à grande vitesse.

Caractéristiques du produit

Zone photosensible:φ5,0 mm

Fréquence de coupure: 40 MHz (VR=24 V)

Haute fiabilité: emballage métallique TO-8

Conditions de mesure Ta=25°C, type, photosensibilité: λ=780 nm, courant sombre: VR=24 V, fréquence de coupure: VR=24 V, capacité terminale:VR = 24 V, F = 1 MHz,Pour les véhicules à moteur à commande autonome, la valeur de l'indicateur d'alimentation doit être supérieure à:

 

Les spécifications:

Longueur d'onde de sensibilité maximale (valeur typique) 920 nm
Sensitivité (valeur typique) 0.54 A/W
Courant sombre (maximum) 10 000 pA
Temps de montée (valeur typique) 18 mu s
Capacité de jonction (valeur typique)

40 pF

 

S3071 Si PIN Photodiode à grande zone photosensible à haute vitesse TO-8

 

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