ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

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Silicium à grande vitesse PIN Photodiode de photodiode de silicium de la vaste zone S3071

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Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
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Silicium à grande vitesse PIN Photodiode de photodiode de silicium de la vaste zone S3071

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Number modèle :S3071
Point d'origine :Le Japon
Quantité d'ordre minimum :1
Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité à fournir :2000 pièces/mois
Délai de livraison :jours 3-5work
Détails de l'emballage :Tuyaux
la zone photographique est :φ5 mm
Nombre de pixels :1
Encapsulé :Métal
le type d'encapsulation est :TO-8
Le système de régulation de la tension doit être équipé d'un système de régulation de la tension. :50 V
la plage de réponse spectrale est :320 à 1060 nm
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Description de produit :

Silicium PIN Photodiode de vitesse de PIN Photodiode Large Area High du silicium S3071

Caractéristiques :

Photodiode à grande vitesse de PIN de silicium de vaste zone

Le S3071 a un grand secteur photosensible, mais a l'excellente réponse en fr3quence à 40 mégahertz. Cette diode convient à FSO (optique de l'espace libre) et à détection légère pulsée à grande vitesse.

Caractéristiques du produit

Secteur photosensible : φ5.0mm

Fréquence de coupure : 40 mégahertz (VR=24 V)

Fiabilité élevée : Paquet en métal TO-8

des états Ta=25 de mesure, type., photosensibilité : λ=780 nanomètre, courant d'obscurité : VR=24 V, fréquence de coupure : VR=24 V, capacité terminale : VR=24 V, F =1 mégahertz, λ=λp, puissance équivalente de bruit : VR=24 V, λ=λp, sauf indication contraire

Caractéristiques :

Longueur d'onde maximale de sensibilité (valeur typique) 920 nanomètre
Sensibilité (valeur typique) 0,54 A/W
Courant d'obscurité (maximum) PA 10000
Temps de montée (valeur typique) 18 MU s
Capacité de jonction (valeur typique)

40 PF

Silicium à grande vitesse PIN Photodiode de photodiode de silicium de la vaste zone S3071

Silicium à grande vitesse PIN Photodiode de photodiode de silicium de la vaste zone S3071

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