
Add to Cart
Description de produit :
Silicium PIN Photodiode de vitesse de PIN Photodiode Large Area High du silicium S3071
Caractéristiques :
Photodiode à grande vitesse de PIN de silicium de vaste zone
Le S3071 a un grand secteur photosensible, mais a l'excellente réponse en fr3quence à 40 mégahertz. Cette diode convient à FSO (optique de l'espace libre) et à détection légère pulsée à grande vitesse.
Caractéristiques du produit
Secteur photosensible : φ5.0mm
Fréquence de coupure : 40 mégahertz (VR=24 V)
Fiabilité élevée : Paquet en métal TO-8
℃ des états Ta=25 de mesure, type., photosensibilité : λ=780 nanomètre, courant d'obscurité : VR=24 V, fréquence de coupure : VR=24 V, capacité terminale : VR=24 V, F =1 mégahertz, λ=λp, puissance équivalente de bruit : VR=24 V, λ=λp, sauf indication contraire
Caractéristiques :
Longueur d'onde maximale de sensibilité (valeur typique) | 920 nanomètre |
Sensibilité (valeur typique) | 0,54 A/W |
Courant d'obscurité (maximum) | PA 10000 |
Temps de montée (valeur typique) | 18 MU s |
Capacité de jonction (valeur typique) |
40 PF
|