ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

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Manufacturer from China
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S2386-8K Capteur photoélectrique infrarouge 10 mV Photodiode au carbure de silicium à faible courant sombre

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Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
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S2386-8K Capteur photoélectrique infrarouge 10 mV Photodiode au carbure de silicium à faible courant sombre

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Number modèle :S2386-8K
Point d'origine :Le Japon
Quantité minimale de commande :1
Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité à fournir :3 000 pièces par mois
Délai de livraison :jours 3-5work
Détails de l'emballage :Tuyaux
la zone photographique est :5.8 × 5,8 mm
Nombre de pixels :1
Réfrigération et :Non refroidi
le type d'encapsulation est :TO-8
Le système de régulation de la tension doit être équipé d'un système de régulation de la tension. :30 V
Plage de réponse spectrale :320 à 1100 Nm
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Description du produit:

S2386-8K Capteur photoélectrique infrarouge 10 mV Photodiode au carbure de silicium à faible courant sombre

Caractéristiques:

Convient pour la lumière visible à la bande infrarouge proche, détermination photométrique universelle

Caractéristiques du produit

● Haute sensibilité dans les bandes visible et proche infrarouge

● Faible courant sombre

● Une grande fiabilité

● Une grande linéarité

Temps de montée (valeur typique).10 mu s

Capacité de jonction (valeur typique) 4300 pF

Condition de mesure TYP.TA = 25°C, Sauf indication contraire, Photosensibilité: λ=960 nm, Courant sombre: VR=10 mV, Capacité terminale:VR = 0 V, f = 10 kHz

Les spécifications:

la plage de réponse spectrale est 320 à 1100 nm
Longueur d'onde de sensibilité maximale (valeur typique) 960 nm
Sensitivité (valeur typique) 0.6 A/W
Courant sombre (max.) 50 pA

S2386-8K Capteur photoélectrique infrarouge 10 mV Photodiode au carbure de silicium à faible courant sombre

S2386-8K Capteur photoélectrique infrarouge 10 mV Photodiode au carbure de silicium à faible courant sombre

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