ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

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Capteur réfléchi de capteur photoélectrique infrarouge ultra-violet de S1336-5BQ

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Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
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Capteur réfléchi de capteur photoélectrique infrarouge ultra-violet de S1336-5BQ

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Number modèle :S1336-5BQ
Point d'origine :Le Japon
Quantité d'ordre minimum :1
Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :911/pcs/pre
Délai de livraison :jours 3-5work
Détails de empaquetage :Tubes de
le secteur photographique est :× 2,4 2,4 millimètres
Nombre de pixels :1
Réfrigération et :Non - refroidi
Encapsulé :Métal
le type d'encapsulation est :TO-5
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Description de produit :

Des photodiodes de silicium de S1336-5BQ sont utilisées pour la détermination photométrique précise à partir de l'ultraviolet pour s'approcher de l'infrarouge

Caractéristiques :

Approprié à la détermination photométrique précise à partir de l'ultraviolet pour s'approcher de l'infrarouge

caractéristiques

Sensibilité élevée dans la bande ultra-violette

Basse basse capacité

Fiabilité élevée

Temps de montée (valeur typique). 0,2 u s

Capacité de jonction (valeur typique) 65 PF

de l'état Ta=25 de mesure, type., sauf indication contraire, photosensibilité : λ=960 nanomètre, courant d'obscurité : VR=10 système mv, temps de montée : VR=0 V, capacité terminale : VR=0 V, f=10 kilohertz

Caractéristiques :

Tension inverse (maximum) 5V
la gamme de réponse spectrale est 190 à 1100 nanomètre
Longueur d'onde maximale de sensibilité (valeur typique) 960 nanomètre
Sensibilité (valeur typique) 0,5 A/W
Courant d'obscurité (maximum) PA 30

Capteur réfléchi de capteur photoélectrique infrarouge ultra-violet de S1336-5BQ

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