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Description de produit :
Des photodiodes de silicium de S1336-5BQ sont utilisées pour la détermination photométrique précise à partir de l'ultraviolet pour s'approcher de l'infrarouge
Caractéristiques :
Approprié à la détermination photométrique précise à partir de l'ultraviolet pour s'approcher de l'infrarouge
caractéristiques
●Sensibilité élevée dans la bande ultra-violette
Basse basse capacité
●Fiabilité élevée
Temps de montée (valeur typique). 0,2 u s
Capacité de jonction (valeur typique) 65 PF
℃ de l'état Ta=25 de mesure, type., sauf indication contraire, photosensibilité : λ=960 nanomètre, courant d'obscurité : VR=10 système mv, temps de montée : VR=0 V, capacité terminale : VR=0 V, f=10 kilohertz
Caractéristiques :
Tension inverse (maximum) | 5V |
la gamme de réponse spectrale est | 190 à 1100 nanomètre |
Longueur d'onde maximale de sensibilité (valeur typique) | 960 nanomètre |
Sensibilité (valeur typique) | 0,5 A/W |
Courant d'obscurité (maximum) | PA 30 |