ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

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Opération photovoltaïque UV basée sur GaN de mode du capteur GS-AB-S de photodiode d'UVA

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Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
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Opération photovoltaïque UV basée sur GaN de mode du capteur GS-AB-S de photodiode d'UVA

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Number modèle :GS-AB-S
Point d'origine :La Chine
Quantité d'ordre minimum :5
Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :1501/pcs/pre
Délai de livraison :jours 3-5work
Détails de empaquetage :Tubes de
Matériel :matière première de nitrure de gallium
Bande large :Photodiode d'UVA+UVB+UVC
Principe :Opération en mode photovoltaïque
Emballage :TO-46
Objet d'essai :Détection d'ultraviolets
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Description de produit :

Photodiode UV basée sur GaN de GS-AB-S

Caractéristiques :

Large photodiode de la bande UVA+UVB+UVC

Opération photovoltaïque de mode

Logement de TO-46metal

Bonne cécité évidente

Haut responsivity et bas courant d'obscurité

Surveillance UV d'index, mesure UV de dose de rayonnement, détection de flamme

Spécifications

Paramètres Symbole Valeur Unité
Estimations maximum
Température ambiante d'opération Topt -25-85 OC
Température ambiante de température de stockage Tsto -40-85 OC
La température de soudure (3 s) Tsol 260 OC
Tension inverse Vr-maximum -10 V
Caractéristiques générales (25 OC)
Taille de puce 1 mm2
Courant d'obscurité (Vr = -1 V) Identification <1>Na
Coefficient de température (@265 nanomètre) Comité technique 0,05 % d'OC
Capacité (à 0 V et à 1 mégahertz) Cp 18 PF
Caractéristiques de réponse spectrale (25 OC)
Longueur d'onde de responsivity maximal λ p 355 nanomètre
Responsivity maximal (à 355 nanomètre) Rmax 0,20 A/W
Gamme de réponse spectrale (R=0.1×Rmax) - 210-370 nanomètre
rapport de rejet UV-évident (Rmax/R400 nanomètre) - >104 -

Caractéristiques :

Caractéristiques Paramètres
Longueur d'onde maximale 355NM
Sensibilité légère 0.20A/W
Temps de montée 3US
Conditions d'essai valeurs typiques, Ta=25°

Opération photovoltaïque UV basée sur GaN de mode du capteur GS-AB-S de photodiode d'UVA

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