ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.
La société préconise la culture d'entreprise de la « intégrité et le dévouement, l'innovation pragmatique, l'unité et la coopération, la diligence et le progrès », prête l'attention à la gestion
Add to Cart
Description du produit:
Fonctionnement en mode photovoltaïque basé sur une photodiode UV GT-UVV-LW InGaN
Caractéristiques:
Caractéristiques générales: l Matériau à base de nitrure d'indium et de gallium
L Opération en mode photovoltaïque
L TO-46 boîtier métallique
L Haute réactivité et faible courant sombre
Applications: surveillance par LED UV, mesure des doses de rayonnement UV, durcissement par UV
Paramètres Valeur du symbole Unité
Plage de température de fonctionnement Topt -25 à 85 oC
Plage de température de stockage Tto -40-85 oC
Température de soudure (3 s) Tsol 260 oC
Voltage inverse Vr-max -10 V
Caractéristiques générales (25 oC) Taille de la puce A 1 mm2 Courant sombre (Vr = -1 V) Id
< 1 nA Coefficient de température Tc 0,05 %/ oC Capacité (à 0 V et 1 MHz) Cp 60 p>
Les spécifications:
| Les spécifications | Paramètres |
| Longueur d'onde maximale | 390 nm |
| Sensitivité à la lumière | 0.289A/W |
| La fréquence de réponse spectrale (R=0,1 × Rmax) | - 290 à 440 nm |
| Ratio de rejet UV visible (Rmax/R400 nm) | - > 10 |
