ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

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Manufacturer from China
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S12060-02 Diode à avalanche basse température Coeffi Cient Type APD pour bande de 800 nm

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Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
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S12060-02 Diode à avalanche basse température Coeffi Cient Type APD pour bande de 800 nm

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Numéro de modèle :S12060-02
Lieu d'origine :Chine
Quantité minimum d'achat :1
Modalités de paiement :LC, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :1000
Heure de livraison :5-8workingdays
Détails de l'' emballage :Emballage standard
Taper :Proche infrarouge (faible coefficient de température)
Surface réceptrice de lumière :φ0,2 mm
Forfait :métal
Catégorie de forfait :TO-18
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S12060-02 Diode à avalanche basse température Coeffi Cient Type APD pour bande de 800 nm

Traits:

Coefficient de température de la tension de claquage :
0,4 V/°C
Réponse à grande vitesse
Haute sensibilité et faible bruit

Applications:

Télémètres optiques
OFS
Communications par fi bre optique

Fiche de données:

Longueur d'onde de sensibilité maximale (typique) 800 nm
Gamme de longueurs d'onde de sensibilité 400 à 1000 nm
Photosensibilité (Typique) 0,5 A/W
Courant d'obscurité (maximum) 0,5 nA
Fréquence de coupure (typique) 1000 MHz
Capacité de jonction (typique) 1,5pF
Tension de claquage (typique) 200V
Coefficient de température de la tension de claquage (typ.) 0,4 V/°C
Rapport de gain (valeur typique) 100

S12060-02 Diode à avalanche basse température Coeffi Cient Type APD pour bande de 800 nm

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