ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

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Photodiode PN silicium planaire BPW21R, faible courant d'obscurité, boîtier TO-5

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Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
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Photodiode PN silicium planaire BPW21R, faible courant d'obscurité, boîtier TO-5

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Numéro de modèle :Le groupe BPW21R
Lieu d'origine :USA
Quantité de commande minimale :1
Conditions de paiement :L / C, D / A, D / P, T / T, Western Union, Moneygram
Délai de livraison :3-5 jours de travail
Détails d'emballage :Boîte standard
Tension inversée :10 V
Dissipation de puissance :300 mW
LA TEMPÉRATURE DE JONCTION :125°C
Plage de température de fonctionnement :- 40 à + 125 ℃
Plage de températures de stockage :- 40 à + 125 ℃
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BPW21R Photodiode PN au silicium plané à faible courant sombre TO-5

 

Caractéristiques
• Type d'emballage: au plomb
• Formulaire de colis: TO-5
• Dimensions (en mm): Ø 8.13
• Zone sensible au rayonnement (en mm2): 7.5
• Une très grande sensibilité photographique
• Adapté à la réactivité de l'œil
• Angle de demi-sensibilité: φ = ± 50°
• Emballage hermétiquement scellé
• Cathode connectée au colis
• Vitre plat
• Faible courant sombre
• Résistance élevée au shunt
• Une grande linéarité
• Conforme à la directive RoHS 2002/95/CE et
conformément aux RAEE 2002/96/CE
Applications
• Capteur à des fins d'exposition et de mesure des couleurs

 

Les spécifications:

Voltage avant 10,0-1,3 V
Voltage de rupture 10 V
Courant sombre inverse 2 à 30 nA
Capacité de diode 1.2nF
La résistance noire 38GΩ

 

Photodiode PN silicium planaire BPW21R, faible courant d'obscurité, boîtier TO-5

 

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