ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

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Les photodiodes au silicium YJJ S8745-01 S8746-01 avec préamplificateur sont utilisées pour la mesure de faible lumière.

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Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
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Les photodiodes au silicium YJJ S8745-01 S8746-01 avec préamplificateur sont utilisées pour la mesure de faible lumière.

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Numéro de modèle :S8745-01 S8746-01
Lieu d'origine :Japon
Quantité de commande minimale :1
Conditions de paiement :L / C, D / A, D / P, T / T, Western Union, Moneygram
Capacité d'offre :1500
Délai de livraison :5-8 jours
Détails d'emballage :Pochette
RF intégré :1 gΩ et cf = 5 pf
Surface émettante :× 2,4 2,4 millimètres
Emballer :Métal
Refroidissement :Type non refroidi
Plage de réponse spectrale :190 à 1100 Nm
Longueur d'onde de sensibilité maximale :960 nm
Puissance équivalente de bruit :11,0 × 10-15 W / Hz1 / 2
Puissance équivalente :10hz
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Description du produit :

Les photodiodes au silicium YJJ S8745-01 S8746-01 avec préamplificateur sont utilisées pour la mesure de faible luminosité

Caractéristiques :

La photodiode et le préamplificateur sont intégrés avec des résistances et des condensateurs de rétroaction.

Il s'agit d'un capteur à faible bruit, composé d'une photodiode au silicium, d'un amplificateur opérationnel, de résistances et de condensateurs de rétroaction, le tout intégré dans un petit boîtier. En le connectant simplement à l'alimentation, il peut être utilisé pour la mesure de faible luminosité, par exemple dans les instruments d'analyse et les appareils de mesure. La surface de réception de la lumière de la photodiode est connectée en interne à la borne GND, ce qui la rend très résistante au bruit CEM.

Caractéristiques
- Utiliser un amplificateur opérationnel à entrée FET à faible consommation
- Rf intégré = 1 GΩ et Cf = 5 pF
- Obtenir un gain variable grâce à des résistances connectées en externe
- Faible bruit, faible NEP
- Encapsulé avec un effet de blindage
- Très résistant au bruit CEM Paramètres détaillés
Surface d'émission de la lumière : 2,4 × 2,4 mm
Boîtier : Métal
Type de boîtier : TO-5
Refroidissement : Type sans refroidissement
Tension inverse (valeur maximale) : 20 V
Plage de réponse spectrale : 190 à 1100 nm
Longueur d'onde de sensibilité maximale (valeur typique) : 960 nm
Puissance équivalente au bruit (valeur typique) : 11,0 × 10-15 W/Hz1/2
Conditions de mesure : Valeurs typiques : Ta = 25°C, VCC = ±15V, RL = 1MΩ, Sensibilité photographique : λ = λp, Puissance équivalente au bruit : λ = λp, f = 10Hz, sauf indication contraire

Spécifications :

Type de boîtier TO-5
Refroidissement Type sans refroidissement
Caractéristiques du produit Faible différentiel de pression
Tension inverse (valeur maximale) 20V

Les photodiodes au silicium YJJ S8745-01 S8746-01 avec préamplificateur sont utilisées pour la mesure de faible lumière.

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