Les convertisseurs des véhicules à moteur FF1500R12IE5 de puissance élevée d'IGBT Modul actifs conjuguent 1500,0 A IGBT5 - E5

Numéro de type:FF1500R12IE5
Point d'origine:La Chine
Quantité d'ordre minimum:1 jeu
Conditions de paiement:T/T.
Capacité d'approvisionnement:1000sets
Délai de livraison:25 jours après la signature du contrat
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Fournisseur Vérifié
Shenzhen Guangdong China
Adresse: 27 P, bloc B, Duhui 100, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen, Chine
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Détails du produit

PrimePACK™3+modulewithTrench/FieldstopIGBT5, EmitterControlled5diodeandNTC VCES = 12


Applications potentielles
• Systèmes d'UPS
• Convertisseurs de puissance élevée
• Applications solaires
• Commandes de moteur


Caractéristiques électriques
• Tvj op = 175°C
• Température de fonctionnement prolongée Tvj op
• Robustesse imbattable
• Fossé IGBT 5
• Capacité élevée de court-circuit


Caractéristiques mécaniques
• Paquet avec CTI>400
• Densité de puissance élevée
• Capacité de puissance élevée et de mise en chauffage
• Distances élevées d'ascension et de dégagement


Inverseur d'IGBT
Valeurs évaluées maximum

Tension de collecteur-émetteurTvj = 25°CVCES1200V
Courant de collecteur continu de C.CComité technique = 100°C, Tvj maximum = 175°CNom d'IC1500A
Courant de collecteur maximal répétitiftP = 1 MmeICRM3000A
tension de crête de Porte-émetteurVGES+/--20V

Type de mn de valeurs caractéristiques. maximum.

Tension de saturation de collecteur-émetteurIC = 1500 A, VGE = 15 V
IC = 1500 A, VGE = 15 V
IC = 1500 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
VCE reposé1,70
2,00
2,15
2,15
2,45
2,60
VVV
Tension de seuil de porteIC = 41,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°CVGEth5,255,806,35V
Charge de porteVGE = -15 V… +15 V, VCE = 600VQG7,15µC
Résistance interne de porteTvj = 25°CRGint0,6
Capacité d'entréef = 1 mégahertz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 VCies82,0N-F
Capacité inverse de transfertf = 1 mégahertz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 VCres3,25N-F
Courant de coupure de collecteur-émetteurVCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°CGLACE5,0mA
courant de fuite de Porte-émetteurVCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°CIGES400Na
Temps de retard d'ouverture, charge inductiveIC = 1500 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = Ω 0,82
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
le TD dessus0,26
0,28
0,28
µs
µs
µs
Temps de montée, charge inductiveIC = 1500 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = Ω 0,82
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
TR0,16
0,17
0,18
µs
µs
µs
Temps de retard d'arrêt, charge inductiveIC = 1500 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = Ω 0,82
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
le TD0,51
0,56
0,59
µs
µs
µs
Temps de chute, charge inductiveIC = 1500 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = Ω 0,82
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
tf0,09
0,11
0,13
µs
µs
µs
Déperdition d'énergie d'ouverture par impulsionIC = 1500 A, VCE = 600 V, LS = 30 NH
VGE = ±15 V, di/dt = 7900 A/µs (Tvj = 175°C)
RGon = Ω 0,82
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
Éon120
180
215
MJ
MJ
MJ
Déperdition d'énergie d'arrêt par impulsionIC = 1500 A, VCE = 600 V, LS = 30 NH
VGE = ±15 V, du/dt = 2750 V/µs (Tvj = 175°C)
RGoff = Ω 0,82
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
Eoff155
195
220
MJ
MJ
MJ
Données de Sc≤ 15 V, VCC = 900 V DE VGE
VCEmax = VCES - LsCE ·µs du ≤ 10 de di/dt tP, Tvj = 175°C
ISC5600A
Résistance thermique, jonction au casChaque IGBT/par IGBTRthJC19,5K/kW
Résistance thermique, cas au radiateurchaque IGBT/par IGBT
λPaste = 1 avec (m·K)/λgrease =1 avec (m·K)
RthCH12,5K/kW
La température dans des conditions de commutationTvj op-40175°C


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Les convertisseurs des véhicules à moteur FF1500R12IE5 de puissance élevée d'IGBT Modul actifs conjuguent 1500,0 A IGBT5 - E5

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