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série C du moitié-pont 62mm 1200 V, 450 doubles IGBT turbines de vent des modules FF450R12KT4 d'A
Applications typiques
• Convertisseurs de puissance élevée
• Commandes de moteur
• Systèmes d'UPS
• Turbines de vent
Caractéristiques électriques
• La température prolongée Tvj d'opération op
• Basses pertes de commutation
• Bas VCEsat
• Robustesse imbattable
• VCEsat avec le coefficient de température positif
Caractéristiques mécaniques
• 4 kilovolts d'isolation C.A. 1min
• Paquet avec CTI > 400
• Distances élevées d'ascension et de dégagement
• Densité de puissance élevée
• Embase d'isolement
• Logement standard
IGBT, inverseur
Valeurs évaluées maximum
Tension de collecteur-émetteur | Tvj = 25°C | VCES | 1200 | V |
Courant de collecteur continu de C.C | Comité technique = 100°C, Tvj maximum = 175°C Tvj maximum = 175°C | Nom d'IC IC | 450 580 | A A |
Courant de collecteur maximal répétitif | tP = 1 Mme | ICRM | 900 | A |
Dissipation de puissance totale | Comité technique = 25°C, Tvj maximum = 175°C | Ptot | 2400 | W |
tension de crête de Porte-émetteur | VGES | +/--20 | V |
Valeurs caractéristiques
Tension de saturation de collecteur-émetteur | IC = 450 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C IC = 450 A, VGE = 15 V Tvj = 125°C IC = 450 A, VGE = 15 V Tvj = 150°C | VCE reposé | 1,75 2,05 2,10 | 2,15 | V VV | |
Tension de seuil de porte | IC = 17,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C | VGEth | 5,2 | 5,8 | 6,4 | V |
Charge de porte | VGE = -15 V… +15 V | QG | 3,60 | µC | ||
Résistance interne de porte | Tvj = 25°C | RGint | 1,9 | Ω | ||
Capacité d'entrée | f = 1 mégahertz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V | Cies | 28,0 | N-F | ||
Capacité inverse de transfert | f = 1 mégahertz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V | Cres | 1,10 | N-F | ||
Courant de coupure de collecteur-émetteur | VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C | GLACE | 5,0 | mA | ||
courant de fuite de Porte-émetteur | VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C | IGES | 400 | Na | ||
Temps de retard d'ouverture, charge inductive | IC = 450 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 1,0 Ω Tvj = 150°C | le TD dessus | 0,16 0,17 0,18 | µs µs µs | ||
Temps de montée, charge inductive | IC = 450 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 1,0 Ω Tvj = 150°C | TR | 0 045 0,04 0,05 | µs µs µs | ||
Temps de retard d'arrêt, charge inductive | IC = 450 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGoff = 1,0 Ω Tvj = 150°C | le TD | 0,45 0,52 0,54 | µs µs µs | ||
Temps de chute, charge inductive | IC = 450 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGoff = 1,0 Ω Tvj = 150°C | tf | 0,10 0,16 0,18 | µs µs µs | ||
Déperdition d'énergie d'ouverture par impulsion | IC = 450 A, VCE = 600 V, LS = 30 NH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, di/dt = 9000 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGon = 1,0 Ω Tvj = 150°C | Éon | 19,0 30,0 36,0 | 19,0 30,0 36,0 | ||
Déperdition d'énergie d'arrêt par impulsion | IC = 450 A, VCE = 600 V, LS = 30 NH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, du/dt = 4500 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGoff = 1,0 Ω Tvj = 150°C | Eoff | 26,0 40,0 43,0 | MJ MJ MJ | ||
Données de Sc | ≤ 15 V, VCC = 800 V DE VGE VCEmax = VCES - LsCE ·µs du ≤ 10 de di/dt tP, Tvj = 150°C | ISC | 1800 | A | ||
Résistance thermique, jonction au cas | IGBT/par IGBT | RthJC | 0 062 | K/W | ||
Résistance thermique, radiateur de caseto | CHAQUE IGBT/par IGBT λPaste = 1 avec (m·K)/λgrease = 1 avec (m·K) | RthCH | 0,03 | K/W | ||
La température dans des conditions de commutation | Tvj op | -40 | 150 | °C |