demi série C du lecteur de puissance du module FF200R12KT4 de pont de l'inverseur 1200V double IGBT 62mm
Numéro de type:FF200R12KT4
Point d'origine:La Chine
Quantité d'ordre minimum:1 jeu
Conditions de paiement:T/T.
Capacité d'approvisionnement:1000sets
Délai de livraison:25 jours après la signature du contrat
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Shenzhen Guangdong China
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27 P, bloc B, Duhui 100, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen, Chine
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série C du moitié-pont 62mm 1200 V, double IGBT module d'entraînement de puissance des modules FF200R12KT4 de l'inverseur
Valeurs évaluées maximum
| Tension de collecteur-émetteur | Tvj = 25°C | VCES | 1200 | V |
| Courant de collecteur continu de C.C | Comité technique = 100°C, Tvj maximum = 175°C Comité technique = 25°C, Tvj maximum = 175°C | Nom d'IC IC | 200 320 | A A |
| Courant de collecteur maximal répétitif | tP = 1 Mme | ICRM | 400 | A |
| Dissipation de puissance totale | Comité technique = 25°C, Tvj maximum = 175°C | Ptot | 1100 | W |
| tension de crête de Porte-émetteur | VGES | +/--20 | V |
Valeurs caractéristiques
| Tension de saturation de collecteur-émetteur | IC = 200 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C IC = 200 A, VGE = 15 V Tvj = 125°C | VCE reposé | 1,75 2,05 2,10 | 2,15 | V VV | |
| Tension de seuil de porte | IC = 7,60 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C | VGEth | 5,2 | 5,8 | 6,4 | V |
| Charge de porte | VGE = -15 V… +15 V | QG | 1,80 | µC | ||
| Résistance interne de porte | Tvj = 25°C | RGint | 3,8 | Ω | ||
| Capacité d'entrée | f = 1 mégahertz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V | Cies | 14,0 | N-F | ||
| Capacité inverse de transfert | f = 1 mégahertz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V | Cres | 0,50 | N-F | ||
| Courant de coupure de collecteur-émetteur | VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C | GLACE | 5,0 | mA | ||
| courant de fuite de Porte-émetteur | VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C | IGES | 400 | Na | ||
| Temps de retard d'ouverture, charge inductive | IC = 200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C | le TD dessus | 0,16 0,17 0,18 | µs µs µs | ||
| Temps de montée, charge inductive | IC = 200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C | TR | 0 045 0,04 0,50 | µs µs µs | ||
| Temps de retard d'arrêt, charge inductive | IC = 200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C | le TD | 0,45 0,52 0,54 | µs µs µs | ||
| Temps de chute, charge inductive | IC = 200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C | tf | 0,10 0,16 0,16 | µs µs µs | ||
| Déperdition d'énergie d'ouverture par impulsion | IC = 200 A, VCE = 600 V, LS = 30 NH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, di/dt = 4000 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C | Éon | 10,0 15,0 17,0 | 19,0 30,0 36,0 | ||
| Déperdition d'énergie d'arrêt par impulsion | IC = 200 A, VCE = 600 V, LS = 30 NH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, du/dt = 4500 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGoff = 2,4 Ω Tvj = 150°C | Eoff | 14,0 20,0 23,0 | MJ MJ MJ | ||
| Données de Sc | ≤ 15 V, VCC = 900 V DE VGE VCEmax = VCES - LsCE ·µs du ≤ 10 de di/dt tP, Tvj = 150°C | ISC | 800 | MJ MJ MJ | ||
| Résistance thermique, jonction au cas | IGBT/par IGBT | RthJC | 0 135 | K/W | ||
| Résistance thermique, radiateur de caseto | CHAQUE IGBT/par IGBT λPaste = 1 avec (m·K)/λgrease = 1 avec (m·K) | RthCH | 0 034 | K/W | ||
| La température dans des conditions de commutation | Tvj op | -40 | 150 | °C |
demi série C du lecteur de puissance du module FF200R12KT4 de pont de l'inverseur 1200V double IGBT 62mm
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