Le module d'alimentation d'Infineon IGBT FF50R12RT4 34mm 1200V conjuguent IGBT avec le fossé rapide/Fieldstop
Numéro de type:FF50R12RT4
Point d'origine:La Chine
Quantité d'ordre minimum:1 jeu
Conditions de paiement:T/T.
Capacité d'approvisionnement:1000sets
Délai de livraison:25 jours après la signature du contrat
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Shenzhen Guangdong China
Adresse:
27 P, bloc B, Duhui 100, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen, Chine
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Détails du produit
Infineon FF50R12RT4 les 34 millimètres bien connus 1200V conjuguent des modules d'IGBT avec le fossé/fieldstop IGBT4 et l'émetteur rapides commandé
Applications typiques
• Convertisseurs de puissance élevée
• Commandes de moteur
• Systèmes d'UPS
Caractéristiques électriques
• La température prolongée Tvj d'opération op
• Basses pertes de commutation
• Bas VCEsat
• Tvj op = 150°C
• VCEsat avec le coefficient de température positif
Caractéristiques mécaniques
• Embase d'isolement
• Logement standard
IGBT, inverseur
Valeurs évaluées maximum
| Tension de collecteur-émetteur | Tvj = 25°C | VCES | 1200 | V |
| Courant de collecteur continu de C.C | Comité technique = 100°C, Tvj maximum = 175°C | Nom d'IC | 50 | A |
| Courant de collecteur maximal répétitif | tP = 1 Mme | ICRM | 100 | A |
| Dissipation de puissance totale | Comité technique = 25°C, Tvj maximum = 175°C | Ptot | 285 | W |
| tension de crête de Porte-émetteur | VGES | +/--20 | V |
Valeurs caractéristiques
| Tension de saturation de collecteur-émetteur | IC = 50 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C IC = 50 A, VGE = 15 V Tvj = 125°C IC = 50 A, VGE = 15 V Tvj = 150°C | VCE reposé | 1,85 2,15 2,25 | 2,15 | V VV | |
| Tension de seuil de porte | IC = 1,60 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C | VGEth | 5,2 | 5,8 | 6,4 | V |
| Charge de porte | VGE = -15 V… +15 V | QG | 0,38 | µC | ||
| Résistance interne de porte | Tvj = 25°C | RGint | 4,0 | Ω | ||
| Capacité d'entrée | f = 1 mégahertz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V | Cies | 2,80 | N-F | ||
| Capacité inverse de transfert | f = 1 mégahertz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V | Cres | 0,10 | N-F | ||
| Courant de coupure de collecteur-émetteur | VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C | GLACE | 1,0 | mA | ||
| courant de fuite de Porte-émetteur | VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C | IGES | 100 | Na | ||
| Temps de retard d'ouverture, charge inductive | IC = 50 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 15 Ω Tvj = 150°C | le TD dessus | 0,13 0,15 0,15 | µs µs µs | ||
| Temps de montée, charge inductive | IC = 50 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 15 Ω Tvj = 150°C | TR | 0,02 0,03 0 035 | µs µs µs | ||
| Temps de retard d'arrêt, charge inductive | IC = 50 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGoff = 15 Ω Tvj = 150°C | le TD | 0,30 0,38 0,40 | µs µs µs | ||
| Temps de chute, charge inductive | IC = 50 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGoff = 15 Ω Tvj = 150°C | tf | 0 045 0,08 0,09 | µs µs µs | ||
| Déperdition d'énergie d'ouverture par impulsion | IC = 50 A, VCE = 600 V, LS = 30 NH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, di/dt = 1300 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGon = 15 Ω Tvj = 150°C | Éon | 4,50 6,50 7,50 | 19,0 30,0 36,0 | ||
| Déperdition d'énergie d'arrêt par impulsion | IC = 50 A, VCE = 600 V, LS = 30 NH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, du/dt = 3800 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGoff = 15 Ω Tvj = 150°C | Eoff | 2,50 4,00 4,50 | MJ MJ MJ | ||
| Données de Sc | ≤ 15 V, VCC = 800 V DE VGE VCEmax = VCES - LsCE ·µs du ≤ 10 de di/dt tP, Tvj = 150°C | ISC | 180 | MJ MJ MJ | ||
| Résistance thermique, jonction au cas | IGBT/par IGBT | RthJC | 0,53 | K/W | ||
| Résistance thermique, radiateur de caseto | CHAQUE IGBT/par IGBT λPaste = 1 avec (m·K)/λgrease = 1 avec (m·K) | RthCH | 0 082 | K/W | ||
| La température dans des conditions de commutation | Tvj op | -40 | 150 | °C |
Le module d'alimentation d'Infineon IGBT FF50R12RT4 34mm 1200V conjuguent IGBT avec le fossé rapide/Fieldstop
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