139 Microns Silicium amorphe A Si Pour divers domaines tels que les essais non destructifs DR

Numéro de modèle:H3543HWC-CE
Lieu d'origine:Chine
Quantité minimale de commande:1
Détails de l'emballage:Emballage en carton standard d'exportation
Matériel:un capteur de silicium amorphe
Température:10 à 35°C (opérationnel); 10 à 50°C (entreposage)
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Adresse: 7e étage, Bâtiment B Chengyuan, le Mid. Route de Jiancaicheng Dist.BeiJing Haidian, 100096 CHINE
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139 microns Silicium amorphe A-Si Pour divers domaines tels que la DR et les essais non destructifs

 

H3543HWC-EG est un détecteur sans fil léger base de silicium amorphe ((a-Si), adapté divers domaines tels que les essais DR et non destructifs.

 

Capteur
Recepteur de type a-Si

Scintilleur Gos / CsI:TI

Zone active 350 x 430 mm

Résolution 2560 x 3072

Pixel Pitch 139 μm

 

Appareil électrique et batterie

Adaptateur en courant alternatif 100-240V,50-60Hz

Adaptateur de sortie DC 24V,2.7A

Dissipation de puissance < 20 W

Temps de veille 6,5 h

Temps de recharge 4,5 h

 

Qualité de l'image
Résolution limitante 5 LP/mm

Plage d'énergie 40 160 KV

Dimension dynamique ≥ 76 dB

Sensibilité ≥ 0,36 LSB/nGy

Ghos < 1% 1ère image

DQE 38% @(1 LP/mm)

21% @ ((2 LP/mm)

MTF 75% @ ((1 LP/mm)

48% @ ((2 LP/mm)

28% @ ((3 LP/mm)

 

 

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139 Microns Silicium amorphe A Si Pour divers domaines tels que les essais non destructifs DR

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