Diode laser Chine de Henan Huachuang 650nm

Certification:CE/ISO9001
Nom de marque:huayu
Point d'origine:Zhengzhou, Chine
Prix:$24.00/pcs
Quantité d'ordre minimum:100pcs
Détails d'emballage:emballage standard
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Zhengzhou Henan
Fabricant, exportateur, TradingCompany, vendeur
Adresse: Le matériel de transmission de Henan Huachuang Co.Ltd.
dernière connexion fois fournisseur: dans 1 heures
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Détails du produit

Nom de produit : Diode laser de Henan Huachuang 650nm 

Caractéristiques

Point de gel LD de MQW 650nm
Bas courant de seuil
Puissance haute production
Palladium intégré de moniteur d'InGaAsP

Capacités absolues

Paramètre

Symbole

Valeur

Unité

Le LD expédient le courant

IF(LD)

100

mA

Tension inverse de LD

VR(LD)

2

V

Le palladium expédient le courant

IF(PALLADIUM)

2

mA

Le palladium renversent le voltag

VR(PALLADIUM)

30

V

Température de fonctionnement

TOP

-10 | +65

°C

Température de stockage

STDE T

-40 | +85

°C

La température/temps de soudure

-

240/10

°C/S

Caractéristiques optiques et électriques

Paramètre

Symbole

Condition d'essai

Minimal.

Type.

Maximum.

Unité

De puissance de sortie

Tacaud

Onde entretenue, 24mA

0,2

1,0

2,0

mW

Onde entretenue, 70mA

-

10,0

12,0

mW

Longueur d'onde centrale

λc

Onde entretenue

640

650

660

nanomètre

630

635

640

nanomètre

Largeur spectrale

Δλ

Onde entretenue, Ith+15mA

-

-

5

nanomètre

Courant de seuil

Ith

650nm, 25°C

15

20

45

mA

Tension d'opération

VOP

Onde entretenue, Ith+15mA

-

2,15

2,5

V

Surveillez le courant

Im

Onde entretenue, Ith+15mA

0,05

-

0,5

mA

 

 


 

 

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Diode laser Chine de Henan Huachuang 650nm

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