Diode de Schottky de rendement élevé de perte de puissance faible pour l'alimentation d'énergie à haute fréquence de commutateur
Number modèle:Diodes Schottky
Point d'origine:Dongguan Chine
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Conditions de paiement:T/T
Capacité d'approvisionnement:2000000 par mois
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Dongguan Guangdong China
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Pièce 810, unité 2, bâtiment 5, centre commercial de Huixing, route No.1, Zhongshan Dong, ville Dongguan, GUANGDONG, de Dongsheng de Shilong NC 523326
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Diode Schottky de rendement élevé de perte de puissance faible pour
l'alimentation d'énergie haute fréquence de commutateur
MBR10100.pdf
La diode Schottky porte le nom de son inventeur, le Dr Schottky
(Schottky), et SBD est l'abréviation de Schottky Barrier Diode
(Schottky Barrier Diode, en abrégé SBD).Le SBD n'est pas fabriqué
selon le principe de la mise en contact du semi-conducteur de type
P et du semi-conducteur de type N pour former une jonction PN, mais
en utilisant le principe de la jonction métal-semi-conducteur
formée par la mise en contact du métal et du semi-conducteur.Par
conséquent, SBD est également appelée diode métal-semi-conducteur
(contact) ou diode barrière de surface, qui est une sorte de diode
porteur chaud.
Caractéristiques
1. Structure cathodique commune
2. Faible perte de puissance, haute efficacité
3. Température de jonction de fonctionnement élevée
4. Anneau de garde pour la protection contre les surtensions, haute
fiabilité
5. Produit RoHS
Applications
1. Commutateur haute fréquence Alimentation
2. Diodes de roue libre, applications de protection de polarité
CARACTÉRISTIQUES PRINCIPALES
SI(AV) | 10(2×5)A |
FV(max) | 0.7V (@Tj=125°C) |
Tj | 175 °C |
VRRM | 100V |
MESSAGE SUR LE PRODUIT
Modèle | Marquage | Emballer |
MBR10100 | MBR10100 | TO-220C |
MBRF10100 | MBRF10100 | TO-220F |
MBR10100S | MBR10100S | -263 |
MBR10100R | MBR10100R | -252 |
MBR10100V | MBR10100V | TO-251 |
MBR10100C | MBR10100C | TO-220 |
DONNÉES ABSOLUES (Tc=25°C)
Paramètre | Symbole | Valeur | Unité | ||
Tension inverse de crête répétitive | VRRM | 100 | V | ||
Tension de blocage CC maximale | VCC | 100 | V | ||
Courant direct moyen | TC=150°C (TO-220/263/252 )TC=125°C(TO-220F) | par appareil par diode | SI(AV) | 10 5 | UN |
Courant direct direct non répétitif 8,3 ms simple demi-onde sinusoïdale (méthode JEDEC) | IFSM | 120 | UN | ||
Température de jonction maximale | Tj | 175 | °C | ||
Plage de température de stockage | TSTG | -40~+150 | °C | ||
Diode de Schottky de rendement élevé de perte de puissance faible pour l'alimentation d'énergie à haute fréquence de commutateur
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