Diode commune de Schottky de structure de cathode pour des applications de protection de polarité
Number modèle:MBR10200
Point d'origine:Dongguan Chine
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Dongguan Guangdong China
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Pièce 810, unité 2, bâtiment 5, centre commercial de Huixing, route No.1, Zhongshan Dong, ville Dongguan, GUANGDONG, de Dongsheng de Shilong NC 523326
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Diode commune de Schottky de structure de cathode pour des
applications de protection de polarité
MBR10200.pdf
Une diode Schottky est un dispositif métal-semi-conducteur composé
d'un métal noble (or, argent, aluminium, platine, etc.) A comme
électrode positive et d'un semi-conducteur de type N B comme
électrode négative, et la barrière de potentiel formée sur le la
surface de contact des deux a des caractéristiques de
rectification.Parce qu'il y a un grand nombre d'électrons dans le
semi-conducteur de type N et seulement une petite quantité
d'électrons libres dans le métal noble, les électrons diffusent de
B avec une concentration élevée vers A avec une faible
concentration.De toute évidence, il n'y a pas de trous dans le
métal A et il n'y a pas de diffusion de trous de A vers B. Au fur
et mesure que les électrons continuent de diffuser de B vers A, la
concentration d'électrons la surface de B diminue progressivement
et la neutralité électrique de surface est détruite. , formant
ainsi une barrière de potentiel, et sa direction de champ
électrique est B→A.Cependant, sous l'action du champ électrique,
les électrons de A produiront également un mouvement de dérive de A
→ B, affaiblissant ainsi le champ électrique formé en raison du
mouvement de diffusion.Lorsqu'une région de charge d'espace d'une
certaine largeur est établie, le mouvement de dérive des électrons
provoqué par le champ électrique et le mouvement de diffusion des
électrons provoqué par différentes concentrations atteignent un
équilibre relatif, formant une barrière Schottky.
Caractéristiques
1. Structure cathodique commune
2. Faible perte de puissance, haute efficacité
3. Température de jonction de fonctionnement élevée
4. Anneau de garde pour la protection contre les surtensions, haute
fiabilité
5. Produit RoHS
Applications
1. Commutateur haute fréquence Alimentation
2. Diodes de roue libre, applications de protection de polarité
CARACTÉRISTIQUES PRINCIPALES
SI(AV) | 10(2×5)A |
FV(max) | 0.7V (@Tj=125°C) |
Tj | 175 °C |
VRRM | 100V |
MESSAGE SUR LE PRODUIT
Modèle | Marquage | Emballer |
MBR10100 | MBR10100 | TO-220C |
MBRF10100 | MBRF10100 | TO-220F |
MBR10100S | MBR10100S | -263 |
MBR10100R | MBR10100R | -252 |
MBR10100V | MBR10100V | TO-251 |
MBR10100C | MBR10100C | TO-220 |
DONNÉES ABSOLUES (Tc=25°C)
Paramètre | Symbole | Valeur | Unité | ||
Tension inverse de crête répétitive | VRRM | 100 | V | ||
Tension de blocage CC maximale | VCC | 100 | V | ||
Courant direct moyen | TC=150°C (TO-220/263/252 )TC=125°C(TO-220F) | par appareil par diode | SI(AV) | 10 5 | UN |
Courant direct direct non répétitif 8,3 ms simple demi-onde sinusoïdale (méthode JEDEC) | IFSM | 120 | UN | ||
Température de jonction maximale | Tj | 175 | °C | ||
Plage de température de stockage | TSTG | -40~+150 | °C | ||
Diode commune de Schottky de structure de cathode pour des applications de protection de polarité
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