Capacité forte de résister fréquence de changement de diodes de Schottky de courant de montée subite à la haute

Number modèle:MBR20200
Point d'origine:Dongguan Chine
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Dongguan Guangdong China
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Capacité forte de résister la fréquence de commutation élevée actuelle de diodes de Schottky de montée subite

MBR20200.pdf

Caractéristiques des diodes Schottky

1. Résistance élevée au courant : peut supporter un courant de surtension élevé.
2. Faible tension de tenue inverse: la tension de tenue inverse générale du tube Schottky est généralement inférieure 200 V, généralement autour de 100 V, ce qui limite l'utilisation de
3. Résistance haute température : la température de jonction la plus élevée des tubes Schottky courants sur le marché est de 100°C, 125°C, 150% et 175°C (plus la température de jonction est élevée, meilleure est la résistance haute température du produit. C'est--dire la température laquelle le produit fonctionne Ce qui suit ne causera pas de panne).
4. Chute de tension directe : la chute de tension directe de la diode Schottky est bien inférieure celle de la diode récupération rapide, de sorte que sa propre consommation d'énergie est faible et son efficacité élevée.
5. Résistance haute température : la température de jonction la plus élevée des tubes Schottky courants sur le marché est de 100°C, 125°C, 150% et 175°C (plus la température de jonction est élevée, meilleure est la résistance haute température du produit. C'est--dire la température laquelle le produit fonctionne Ce qui suit ne causera pas de panne).


Caractéristiques

1. Structure cathodique commune
2. Faible perte de puissance, haute efficacité
3. Température de jonction de fonctionnement élevée
4. Anneau de garde pour la protection contre les surtensions, haute fiabilité
5. Produit RoHS

Applications

1. Commutateur haute fréquence Alimentation

2. Diodes de roue libre, applications de protection de polarité

CARACTÉRISTIQUES PRINCIPALES

SI(AV)

10(2×5)A

FV(max)

0.7V (@Tj=125°C)

Tj

175 °C

VRRM

100V

MESSAGE SUR LE PRODUIT

Modèle

Marquage

Emballer

MBR10100

MBR10100

TO-220C

MBRF10100

MBRF10100

TO-220F

MBR10100S

MBR10100S

-263

MBR10100R

MBR10100R

-252

MBR10100V

MBR10100V

TO-251

MBR10100C

MBR10100C

TO-220




DONNÉES ABSOLUES (Tc=25°C)

Paramètre


Symbole


Valeur


Unité

Tension inverse de crête répétitive

VRRM

100

V

Tension de blocage CC maximale

VCC

100

V

Courant direct moyen

TC=150°C (TO-220/263/252 )TC=125°C(TO-220F)


par appareil


par diode

SI(AV)

10 5

UN


Courant direct direct non répétitif 8,3 ms simple demi-onde sinusoïdale (méthode JEDEC)

IFSM

120

UN

Température de jonction maximale

Tj

175

°C

Plage de température de stockage

TSTG

-40~+150

°C


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Capacité forte de résister fréquence de changement de diodes de Schottky de courant de montée subite à la haute

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