SOT-323 SS8050W NPN Transistor planar épitaxial au silicium pour le courant élevé du collecteur
Numéro de modèle:SS8050W
Lieu d'origine:Dongguan en Chine
Quantité minimale de commande:1000 pièces
Conditions de paiement:T/T, Western Union
Capacité à fournir:5000 pièces
Délai de livraison:3weeks
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Fournisseur Vérifié
Dongguan Guangdong China
Adresse:
Pièce 810, unité 2, bâtiment 5, centre commercial de Huixing, route No.1, Zhongshan Dong, ville Dongguan, GUANGDONG, de Dongsheng de Shilong NC 523326
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Détails du produit
Profil de la société
Détails du produit
Transistor bas bruit haute fréquence SOT-323
Caractéristiques
- Le courant du collecteur.
- Complémentaire la SS8550W.
- dissipation du collecteur:PC=200mW(TC=25°C)
Applications
- Un courant de collecteur élevé.
Informations sur les commandes
Numéro de type: SS8050W
Marquage: Y1
Code du colis:SOT-323
Caractéristiques électriques @ Ta=25 °C sauf indication contraire
| Paramètre | Le symbole | Conditions d'essai | Résultats | Type de produit | Maximum | Unité |
| Voltage de rupture de la base du collecteur | V ((BR) CBO | IC=100μA,IE=0 | 40 | V | ||
| Voltage de panne du collecteur-émetteur | V ((BR) PDG | IC = 2mA, IB = 0 | 25 | V | ||
| Voltage de rupture émetteur-base | V ((BR) EBO | IE=-100μA, IC=0 | 5 | V | ||
| Courant de coupure du collecteur | Le CIBO | VCB = 40V,IE = 0 | 0.1 | μA | ||
| Courant de coupure du collecteur | ICEO | La valeur de l'électricité utilisée est la valeur de l'électricité utilisée. | 0.1 | μA | ||
| Courant de coupure de l'émetteur | Le BIO | VEB = 5V, IC = 0 | 0.1 | μA | ||
| Gain de courant continu |
hFE | Pour les appareils de commande électronique, la valeur de l'indicateur d'alimentation doit être égale ou supérieure : | 120 | 400 | ||
| Pour les appareils de commande électronique, la valeur de l'indicateur d'alimentation doit être égale ou supérieure : | 40 | |||||
| Voltage de saturation du collecteur-émetteur | VCE (sat) | IC = 800 mA, IB = 80 mA | 0.5 | V | ||
| Voltage de saturation de l'émetteur de base | VBE (sat) | IC = 800 mA, IB = 80 mA | 1.2 | V | ||
| Voltage de l'émetteur de base | VBE | Pour les appareils de type VCE, la valeur de l'éclairage doit être égale ou supérieure : | 1 | V | ||
| Fréquence de transition | FT | La fréquence d'écoulement de l'appareil doit être supérieure ou égale : | 100 | fréquences de fréquence |
Classification de l'équipement électrique (1)
| Le grade | L | H est | Je |
| Portée | 120 200 | 200 350 | 300 400 |
TYPIQUE Caractéristiques @Je vous en prie.= 25 °C moins Autrement spécifiée
SOT-323 SS8050W NPN Transistor planar épitaxial au silicium pour le courant élevé du collecteur
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