Démarrage 120V, crête 4A, circuit intégré (CI) de commande côté haut et côté bas à haute fréquence
Numéro de modèle:SGM48211
Lieu d'origine:Dongguan Chine
Quantité de commande minimale:1000pcs
Conditions de paiement:T / T, Western Union
Capacité d'offre:5000pcs
Délai de livraison:3 semaines
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Fournisseur Vérifié
Dongguan Guangdong China
Adresse:
Pièce 810, unité 2, bâtiment 5, centre commercial de Huixing, route No.1, Zhongshan Dong, ville Dongguan, GUANGDONG, de Dongsheng de Shilong NC 523326
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dans 1 heures
Détails du produit
Profil de la société
Détails du produit
120V de démarrage, 4A de pointe, haute fréquence haute fréquence et
basse fréquence
Le SGM48211 est un pilote MOSFET demi-pont avec une capacité de
courant de sortie de source de pointe et d'évier de 4A, ce qui
permet de conduire des MOSFET de grande puissance avec des pertes
de commutation minimisées.Les deux canaux du côté supérieur et du
côté inférieur sont totalement indépendants, avec un délai de
correspondance de 3 ns (TYP) entre l'allumage et l'arrêt de
l'autre..
La tension résistante maximale de l'étape d'entrée de SGM48211 est de 20V.Le pilote a une robustesse accrue et peut être connecté directement aux transformateurs d'impulsions sans utiliser de diodes rectificatrices.Grce une large hystérésis d'entrée, l'appareil peut recevoir des signaux PWM analogiques ou numériques avec une meilleure immunité au bruit.Une diode bootstrap de 120V est intégrée l'intérieur pour économiser la diode externe et réduire la dimension du PCB.
Le verrouillage sous tension (UVLO) est intégré la fois dans les conducteurs haute et basse tension.La sortie de chaque canal est réduite si la tension de conduite correspondante tombe en dessous du seuil spécifié..
Le SGM48211 est disponible dans les paquets vert SOIC-8, SOIC-8 ((Exposed Pad) et TDFN-4×4-8AL.
La tension résistante maximale de l'étape d'entrée de SGM48211 est de 20V.Le pilote a une robustesse accrue et peut être connecté directement aux transformateurs d'impulsions sans utiliser de diodes rectificatrices.Grce une large hystérésis d'entrée, l'appareil peut recevoir des signaux PWM analogiques ou numériques avec une meilleure immunité au bruit.Une diode bootstrap de 120V est intégrée l'intérieur pour économiser la diode externe et réduire la dimension du PCB.
Le verrouillage sous tension (UVLO) est intégré la fois dans les conducteurs haute et basse tension.La sortie de chaque canal est réduite si la tension de conduite correspondante tombe en dessous du seuil spécifié..
Le SGM48211 est disponible dans les paquets vert SOIC-8, SOIC-8 ((Exposed Pad) et TDFN-4×4-8AL.
Principales caractéristiques
● Large portée de fonctionnement: de 8 17 V
● Activer deux N-MOSFET configurés en demi-pont
● Voltage de blocage maximal: 120 V CC
● Diode de démarrage interne intégrée pour économiser des coûts
● 4A Période de pointe des courants d'égout et de source
● Tolérance des broches d'entrée de -10 20 V
● Les entrées compatibles avec le système COMS/TTL
● 6,5ns (TYP) temps de montée et 4,5ns (TYP) temps de chute avec
une charge de 1000 pF
● Temps de retard de propagation: 31 jours (TYP)
● Délai de correspondance: 3ns (TYP)
● Fonctions UVLO pour les conducteurs de haut et de bas niveau
● -40°C +140°C Plage de température des points de jonction
● Disponible dans les paquets verts SOIC-8, SOIC-8 (Exposed Pad) et
TDFN-4×4-8AL
Applications
Convertisseurs de puissance de 48 V ou inférieurs, utilisés dans
les télécommunications, les télécommunications, le stockage
portable, etc.
Convertisseurs demi-pont, plein pont, poussée-tirée, synchrones-bourreau-avant
Réducteurs synchrones
Amplificateurs audio de classe D
Convertisseurs demi-pont, plein pont, poussée-tirée, synchrones-bourreau-avant
Réducteurs synchrones
Amplificateurs audio de classe D
Application typique
Il est recommandé que la valeur de la capacité du condensateur bootstrap ne dépasse pas 1μF pour prévenir une rupture excessive du diode bootstrap par un courant transitoire lors du chargement du condensateur bootstrap.
Si le QG du transistor de puissance est particulièrement grand et nécessite une capacité supérieure 1 μF,Il est recommandé de connecter une résistance directement sur la broche HB en série avec le condensateur bootstrap pour réduire le courant transitoire.Il est important de noter que cette résistance de série augmente également la résistance totale d'allumage.
S'il n'est pas possible d'augmenter la résistance en série, it isrecommended to add an external Schottky diodebetween the VDD and HB pins in parallel with the internal diode to share the transient current and reducethe effect of the transient current on the body diodeLa diode ASchottky telle que S115FP doit être sélectionnée lorsque la VF est ≤ 0,8 V @ 100 mA.
Une plus grande di/dt générera une plus grande tension négative sur la broche HS. L'ajout d'une résistance RHS peut limiter le pic de la tension négative.,Il est recommandé d'ajouter une diode de Schottky entre le HS et le VSS pour fixer la tension négative.La tension de blocage minimale doit être supérieure la tension positive maximale du demi-pont..
Configuration des épingles
Description de l' épingle
Guide de sélection des produits
Il est recommandé que la valeur de la capacité du condensateur bootstrap ne dépasse pas 1μF pour prévenir une rupture excessive du diode bootstrap par un courant transitoire lors du chargement du condensateur bootstrap.
Si le QG du transistor de puissance est particulièrement grand et nécessite une capacité supérieure 1 μF,Il est recommandé de connecter une résistance directement sur la broche HB en série avec le condensateur bootstrap pour réduire le courant transitoire.Il est important de noter que cette résistance de série augmente également la résistance totale d'allumage.
S'il n'est pas possible d'augmenter la résistance en série, it isrecommended to add an external Schottky diodebetween the VDD and HB pins in parallel with the internal diode to share the transient current and reducethe effect of the transient current on the body diodeLa diode ASchottky telle que S115FP doit être sélectionnée lorsque la VF est ≤ 0,8 V @ 100 mA.
Une plus grande di/dt générera une plus grande tension négative sur la broche HS. L'ajout d'une résistance RHS peut limiter le pic de la tension négative.,Il est recommandé d'ajouter une diode de Schottky entre le HS et le VSS pour fixer la tension négative.La tension de blocage minimale doit être supérieure la tension positive maximale du demi-pont..
Configuration des épingles
Description de l' épingle
Guide de sélection des produits
| Numéro de la partie | Numéro de Les canaux | Période maximale de production Actuel (A) | Vcc (V) | Levez-vous! Le temps (ns) | La chute Le temps (ns) | La logique est faible Voltage d'entrée (V) | La logique est élevée Voltage d'entrée (V) | Résultats de l'analyse Hystérésis (V) | Type ICC (mA) | Le paquet | Caractéristiques |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SGM48005 | 1 | Le temps est compté | 3 ~ 15 | 2.9 | 3.6 | 1.2 | 2.4 | 0.12 | 1 | Le TSSOP-14 | Zéro dépassement, grand conducteur SiC et IGBT oscillation avec
circuit de génération de rails double puissance de précision |
SGM48010 | 1 | Une journée de repos | 4.5 ~ 20 | 10 | 10 | 0.9 | 2.5 | 0.45 | 0.13 | Le TDFN-2×2-6L | Chauffeur de porte basse vitesse canal unique |
SGM48013C | 1 | 8/13 | 4.5 ~ 20 | 7 | 8 | 0.7 | 2.5 | 0.45 | 0.09 | Le code de conduite: | Chauffeur de porte basse vitesse canal unique |
SGM48017C | 1 | 8/13 | 4.5 ~ 20 | 7 | 8 | 0.7 | 2.5 | 0.45 | 0.09 | Le code de conduite: | Chauffeur de porte basse vitesse canal unique |
SGM48018C | 1 | 8/13 | 4.5 ~ 20 | 7 | 8 | 0.7 | 2.5 | 0.45 | 0.09 | Le code de conduite: | Chauffeur de porte basse vitesse canal unique |
SGM48019C | 1 | 8/13 | 4.5 ~ 20 | 7 | 8 | 0.7 | 2.5 | 0.45 | 0.09 | Le code de conduite: | Chauffeur de porte basse vitesse canal unique |
SGM48209 | 2 | Je vous en prie. | 8 17 | 6.5 | 4.5 | 1.5 | 2.25 | 0.7 | 0.13 | Les mesures de sécurité doivent être prises conformément aux
dispositions de la directive 2008/57/CE. | 120V de démarrage, 4A de pointe, haut-fréquence haut-et bas-côté du
pilote |
SGM48211 | 2 | Je vous en prie. | 8 17 | 6.5 | 4.5 | 1.5 | 2.25 | 0.7 | 0.13 | Le système d'aérodrome doit être équipé d'un système d'aérodromes
de type "A" et d'un système d'aérodromes de type "B". | 120V de démarrage, 4A de pointe, haut-fréquence haut-et bas-côté du
pilote |
SGM48510 | 1 | Le mariage, 11/6 | 4.5 ~ 24 | 4 | 4 | 1.3† | 2.1† | 0.8 | 0.5 | Le TDFN-2×2-8AL, le SOIC-8 | 11A Conducteur MOSFET basse vitesse |
SGM48520 | 1 | Le temps est compté | 4.75 5.25 | 0.55 | 0.48 | 0.055 | Le système de contrôle de l'équipement doit être équipé de systèmes
de contrôle de l'équipement. | 5V GaN faible tension et pilote MOSFET | |||
SGM48521 | 1 | Le 7/6 | 4.5 5.5 | 0.5 | 0.46 | 1.4† | 2.15† | 0.75 | 0.075 | Le système de contrôle de l'équipement doit être équipé de systèmes
de contrôle de l'équipement. | 5V GaN faible tension et pilote MOSFET |
SGM48521Q | 1 | Le 7/6 | 4.5 5.5 | 0.5 | 0.46 | 1.4† | 2.15† | 0.75 | 0.075- Je suis désolée. | Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État
membre. | Pour l'automobile, GaN basse tension 5 V et pilote MOSFET |
SGM48522 | 2 | Le 7/6 | 4.5 5.5 | 0.75 | 0.56 | 1.4† | 2.1† | 0.7 | 0.1 | Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de
l'échantillon. | Conducteur GaN et MOSFET faible tension 5V double canal |
SGM48522Q: | 2 | Le 7/6 | 4.5 5.5 | 0.72 | 0.57 | 1.4† | 2.1† | 0.7 | 0.05 | Le nombre d'équipements transporter est déterminé en fonction de
l'échantillon. | Pour l'automobile, pilote GaN et MOSFET faible tension 5V double
canal |
SGM48523 | 2 | 5 | 4.5 ~ 18 | 8 | 8 | 1.2† | 2† | 0.8 | 0.036 | Les produits doivent être présentés sous forme d'une couche
d'étiquette. | Chauffeur de porte haute vitesse double canal |
SGM48523C | 2 | 5 | 8.5 ~ 18 | 7 | 7 | 1.2† | 2.1† | 0.9 | 0.075 | Les produits doivent être présentés sous forme d'une couche
d'étiquette. | Chauffeur de porte haute vitesse double canal |
SGM48524A | 2 | 5 | 4.5 ~ 18 | 8 | 8 | 1.2† | 2† | 0.8 | 0.038 | Les produits doivent être présentés sous forme d'une couche
d'étiquette. | Chauffeur de porte haute vitesse double canal |
Notes: † Valeur typique @ 25°C
†† Valeur maximale
Les circuits intégrés (CI) constituent la base de l'électronique
moderne, offrant une petite taille, une faible consommation
d'énergie, des performances élevées et une grande fiabilité.Ils
sont largement utilisés dans l'électronique grand public, des
applications industrielles, des communications, de l'électronique
automobile, des équipements médicaux et des systèmes
aérospatiaux/de défense.
Uchi Electronics fournit des solutions analogiques et de traitement
de signaux mixtes de haute performance pour l'automatisation
industrielle, les nouvelles énergies, l'automobile, les
communications, l'informatique,Applications pour les appareils
électroniques grand public et les équipements médicaux.
Cette solution démontre l'application du circuit intégré des émetteurs de niveau capacitifs. Pour obtenir de l'aide pour choisir le bon produit, veuillez contacter notre équipe de support technique.
Démarrage 120V, crête 4A, circuit intégré (CI) de commande côté haut et côté bas à haute fréquence
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