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2N7002P
Le 2N7002P est un transistor effet de champ (MOSFET) canal N amélioration largement utilisé, reconnu pour sa polyvalence dans les circuits électroniques basse tension et basse consommation. Il appartient la série 2N7000 de MOSFET, qui sont populaires dans des applications allant de la commutation de signaux la gestion de l'alimentation dans l'électronique grand public, les systèmes automobiles et les appareils embarqués.
Emballage | Ruban (TR Ruban découpé (CT Bobine numérique | |
État de la pièce | Ne convient pas aux nouvelles conceptions | |
Technologie | MOSFET (oxyde métallique) | |
Configuration | 2 canaux N (double canal) | |
Caractéristiques FET | Niveau logique de grille | |
Tension drain-source (Vdss) | 60V | |
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C | 320 ampères | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1,6 ohms @ 500mA, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2,4V @ 250µA | |
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs | 0,8nC @ 4,5V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 10V | |
Puissance - Max | 420 milliwatts | |
Température de fonctionnement | 150°C (milliards de fois) | |
Classe | Automobile | |
Qualifications | Certification AEC-Q100 | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier / Enveloppe | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
Boîtier du fournisseur | 6-TSSOP |
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