IRFR024NTRPBF 55V 24A N-Channel MOSFET avec ultra-faible 0.028Ω RDS ((on), vitesse de commutation rapide 100% Avalanche testé Package compact DPAK sans plomb et conforme à la RoHS

Numéro de modèle:IRFR024NTRPBF
Lieu d'origine:Chine
Quantité minimale de commande:1
Conditions de paiement:T/T, Western Union,
Capacité à fournir:1000 pièces par mois
Délai de livraison:3-5 jours ouvrables après réception du paiement
Contacter

Add to Cart

Fournisseur Vérifié
Adresse: RM1441, GUO LI Bldg, ZhongHang RD., Futian Dist. Shen Zhen, Chine
dernière connexion fois fournisseur: dans 1 heures
Détails du produit Profil de la société
Détails du produit

IRFR024NTRPBF MOSFET N-Channel 55V 24A avec RDS(on) ultra-faible de 0,028Ω, vitesse de commutation rapide, testé 100 % en avalanche, boîtier DPAK compact, sans plomb et conforme RoHS


Applications

Applications de commande de moteur balais

Applications de commande de moteur BLDC

Circuits alimentés par batterie

Topologies en demi-pont et en pont complet

Applications de redressement synchrone

Alimentations mode résonant

Commutateurs d'alimentation OR-ing et redondants

Convertisseurs CC/CC et CA/CC

Onduleurs CC/CA


Avantages

Grille, avalanche et dV/dt dynamique améliorés

Robustesse, capacité et SOA d'avalanche entièrement caractérisées

Capacité dV/dt et dI/dt de la diode de corps améliorée

Sans plomb

Conforme RoHS, sans halogène


Caractéristiques

Caractéristiques électriques
MOSFET canal N, mode d'amélioration

Tension Drain-Source (VDSS): 55V

Courant de drain continu (lD):
34A (@25°C)
23A (@100°C)
Résistance l'état passant (RDS(on)):
0,0242 (typique, VGS=10V)0
0,0282 (max, VGS=10V)

Tension de seuil de grille (VGs(th)): 2V ~ 4V

Tension maximale Grille-Source (VGs): ±20V
Caractéristiques de commutation
Capacité d'entrée (Ciss): 1100pF (typique)

Capacité de sortie (Coss): 300pF (typique)

Capacité de transfert inverse (Crss): 80pF (typique)

Temps de retard l'activation/désactivation (td(on)/td(off)): Niveau nanoseconde, adapté la commutation haute fréquence

Performances thermiques
Dissipation de puissance maximale (PD): 48W(@25°C)

Résistance thermique (RθJA): 62°C/W (sans dissipateur thermique)

Plage de température de fonctionnement : -55°C ~ +175°C
Boîtier et caractéristiques mécaniques
Type de boîtier : TO-252 (DPAK), montage en surface

Conception conforme RoHS, sans plomb

Faible inductance parasite, optimisée pour la disposition du circuit imprimé


INFORMATION

Catégorie
Mfr
Série
Emballage
Ruban et bobine (TR)
Ruban coupé (CT)
Digi-Reel®
Statut de la pièce
Actif
Type de FET
Technologie
Tension Drain-Source (Vdss)
55 V
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C
Tension de commande (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
75mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
370 pF @ 25 V
Caractéristique FET
-
Dissipation de puissance (Max)
45W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier du dispositif du fournisseur
TO-252AA (DPAK)
Boîtier / Boîtier
Numéro de produit de base

Dessin

Notre avantage :

  • Produits de haute qualité --- nos offres sont 100% neuves et originales, ROHS
  • Prix compétitif --- bons canaux d'achat avec un bon prix.
  • Service professionnel --- tests de qualité stricts avant l'expédition et service après-vente parfait après l'achat.
  • Inventaire adéquat --- Avec le soutien de notre solide équipe d'achat,
  • Livraison rapide --- nous expédierons les marchandises dans les 1 3 jours ouvrables après la confirmation du paiement.

assurez-vous de répondre vos besoins pour tous les types de composants.^_^


Liste de produits
Fournir une série de composants électroniques, une gamme complète de semi-conducteurs, de composants actifs et passifs. Nous pouvons vous aider obtenir tout pour la nomenclature du circuit imprimé, en un mot, vous pouvez obtenir une solution unique ici,


Les offres comprennent :
Circuit intégré, circuits intégrés de mémoire, diode, transistor, condensateur, résistance, varistance, fusible, potentiomètre et potentiomètre, transformateur, batterie, cble, relais, interrupteur, connecteur, bornier, cristal et oscillateur, inducteur, capteur, transformateur, pilote IGBT, LED, LCD, convertisseur, circuit imprimé (Printed Circuit Board), PCBA (PCB Assembly)

Fort en marque :
Microchip, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK, etc.

China IRFR024NTRPBF 55V 24A N-Channel MOSFET avec ultra-faible 0.028Ω RDS ((on), vitesse de commutation rapide 100% Avalanche testé Package compact DPAK sans plomb et conforme à la RoHS supplier

IRFR024NTRPBF 55V 24A N-Channel MOSFET avec ultra-faible 0.028Ω RDS ((on), vitesse de commutation rapide 100% Avalanche testé Package compact DPAK sans plomb et conforme à la RoHS

Inquiry Cart 0