IRFI4019HG-117P MOSFET de puissance 190A 100V Ultra-faible Rds(on) 1,9mΩ TO-264 Haute efficacité Performances robustes Gestion thermique supérieure et haute densité de puissance pour les applications exigeantes

Numéro de modèle:IRFI4019HG-117P
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IRFI4019HG-117P 190A MOSFET de puissance 100V Ultra-faible Rds(on) 1,9mΩ TO-264 Haute efficacité Performances robustes Gestion thermique supérieure et haute densité de puissance pour les applications exigeantes


Caractéristiques

Boîtier demi-pont intégré

Réduit de moitié le nombre de composants

Facilite une meilleure disposition du circuit imprimé

Paramètres clés optimisés pour les applications d'amplificateurs audio de classe D

Faible RDS(ON) pour une efficacité améliorée

Faible Qg et Qsw pour une meilleure DHT et une efficacité améliorée

Faible Qrr pour une meilleure DHT et moins d'EMI

Peut fournir jusqu' 200W par canal dans une charge de 8Ω dans une configuration d'amplificateur en demi-pont

Boîtier sans plomb

Sans halogène


Applications


Description

Ce demi-pont MosFET audio numérique est spécialement conçu pour les applications d'amplificateurs audio de classe D. Il se compose de deux commutateurs MosFET de puissance connectés en configuration demi-pont. Le dernier processus est utilisé pour obtenir une faible résistance l'état passant par zone de silicium. De plus, la charge de grille, la récupération inverse de la diode du corps et la résistance de grille interne sont optimisées pour améliorer les principaux facteurs de performance des amplificateurs audio de classe D tels que l'efficacité, la DHT et les EMI. Ces éléments se combinent pour faire de ce demi-pont un dispositif très efficace, robuste et fiable pour les applications d'amplificateurs audio de classe D.


INFORMATION

Catégorie
Fabricant
Infineon Technologies
Série
-
Emballage
Tube
Statut de la pièce
Obsolète
Technologie
MOSFET (Oxyde métallique)
Configuration
2 N-Canal (Double)
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
150V
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C
8,7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
95mOhm @ 5,2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4,9V @ 50µA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
810pF @ 25V
Puissance - Max
18W
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Trou traversant
Boîtier / Boîtier
TO-220-5 Full Pack, Fils formés
Boîtier du dispositif du fournisseur
TO-220-5 Full-Pak
Numéro de produit de base

Dessin

Notre avantage :

  • Produits de haute qualité --- nos offres sont 100% neuves et originales, ROHS
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Liste de produits
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Les offres comprennent :
Circuit intégré, CI mémoire, Diode, Transistor, Condensateur, Résistance, Varistance, Fusible, Ajusteur et potentiomètre, Transformateur, Batterie, Cble, Relais, Interrupteur, Connecteur, Bornier, Cristal et oscillateur, Inducteur, Capteur, Transformateur, Driver IGBT, LED, LCD, Convertisseur, PCB (circuit imprimé), PCBA (assemblage de PCB)

Forte en marque :
Microchip, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK, etc.

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IRFI4019HG-117P MOSFET de puissance 190A 100V Ultra-faible Rds(on) 1,9mΩ TO-264 Haute efficacité Performances robustes Gestion thermique supérieure et haute densité de puissance pour les applications exigeantes

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