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STF28NM50N MOSFET de puissance 500V/28A, faible résistance 0,135Ω Rds(on), commutation rapide, robuste en avalanche, mode Eco, faible charge de grille, boîtier TO-220FP, certifié RoHS pour SMPS et entraînements de moteurs
Caractéristiques
• Testé 100% en avalanche
• Faible capacité d'entrée et charge de grille
• Faible résistance d'entrée de grille
Applications
• Applications de commutation
Description
Ces dispositifs sont des MOSFET de puissance canal N développés en utilisant la deuxième génération de la technologie MDmesh. Ces MOSFET de puissance révolutionnaires associent une structure verticale la disposition en bandes de l'entreprise pour obtenir l'une des résistances l'état passant et des charges de grille les plus faibles au monde. Ils conviennent donc aux convertisseurs haut rendement les plus exigeants.
INFORMATIONS
Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | ||
Emballage | Tube | |
Statut de la pièce | Actif | |
Type de FET | ||
Technologie | ||
Tension drain-source (Vdss) | 500 V | |
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C | ||
Tension de commande (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 158mOhm @ 10.5A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs | 50 nC @ 10 V | |
Vgs (Max) | ±25V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1735 pF @ 25 V | |
Caractéristique FET | - | |
Dissipation de puissance (Max) | 35W (Tc) | |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Trou traversant | |
Boîtier du dispositif du fournisseur | TO-220FP | |
Boîtier / Boîtier | ||
Numéro de produit de base |
Dessin
Notre avantage :téléphones, PDA, ordinateurs portables
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Liste de produits
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