MOSFET à puissance ultra-faible de 0,0015Ω en double PQFN avec Avalanche Rating AEC-Q101 175 °C -40V/-30V Niveau logique et sans halogène pour une conversion de puissance à haut rendement

Numéro de modèle:IRF7351TRPBF
Lieu dand#39;origine:CHINE
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MOSFET de puissance ultra-bas 0,0015andOmega; en double PQFN avec classification Avalanche AEC-Q101 175anddeg;C -40V/-30V Niveau logique et sans halogène pour la conversion de puissance haut rendement

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Caractéristiques

Impédance de grille ultra-basse

Tension et courant d'avalanche entièrement caractérisés

20V VGS Max. Classement de grille

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Applications

MOSFET redresseur synchrone pour convertisseurs DC-DC isolés

Systèmes d'entraînement de moteur faible puissance

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Description

L'IRF7351TRPBF est un MOSFET double N-canal haute performance d'Infineon Technologies, intégré dans un boîtier PQFN compact de 5x6 mm. Il est spécialement conçu pour les convertisseurs abaisseurs synchrones et autres applications de gestion de l'alimentation qui exigent un rendement élevé et une densité de puissance élevée.

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INFORMATION

Catégorie
Fabricant
Infineon Technologies
Série
Emballage
Ruban et bobine (TR)
Coupe de ruban (CT)
Digi-Reelandreg;
Statut de la pièce
Actif
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)
Configuration
2 N-Canal (Double)
Fonctionnalité FET
Grille de niveau logique
Tension drain-source (Vdss)
60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25anddeg;C
8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
17.8mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 50andmicro;A
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
36nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1330pF @ 30V
Puissance - Max
2W
Température de fonctionnement
-55anddeg;C ~ 150anddeg;C (TJ)
Type de montage
Montage en surface
Boîtier / Boîtier
8-SOIC (0.154", largeur 3.90mm)
Boîtier du dispositif du fournisseur
8-SO
Numéro de produit de base

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Dessin

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MOSFET à puissance ultra-faible de 0,0015Ω en double PQFN avec Avalanche Rating AEC-Q101 175 °C -40V/-30V Niveau logique et sans halogène pour une conversion de puissance à haut rendement

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