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BAS85 30V 200mA Diode Schottky haute vitesse avec faible Vf de 250mV, commutation rapide de 4ns, boîtier SOD-123, faible fuite, double cathode commune, qualifié AEC-Q101, ruban et bobine
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Caractéristiques
■ Faible courant de fuite
■ Diodes barrière Schottky
■ Faible chute de tension directe
■ Pour applications générales
■ Sensibilité l'humidité : niveau 1, selon J-STD-020
■ Pour la commutation rapide et les applications faible niveau logique
■ Soudure haute température garantie : 260 °C/10 secondes
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Applications
■ Détecteur HF, circuit de protection
■ Convertisseur CC/CC pour ordinateurs portables
■ Petit chargeur de batterie, alimentations
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Description
Le BAS85 est une diode barrière Schottky double cathode commune haute vitesse conçue pour les applications de commutation haut rendement. Logée dans un boîtier compact montage en surface SOD-123, elle présente une faible tension directe et des caractéristiques de commutation rapide, ce qui la rend idéale pour les appareils électroniques portables espace limité et les circuits usage général.
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INFORMATION
Catégorie | andnbsp; | |
Mfr | andnbsp; | |
Série | - | andnbsp; |
Emballage | Ruban et bobine (TR) Coupe de ruban (CT) Digi-Reelandreg; | andnbsp; andnbsp; andnbsp; |
Statut de la pièce | Active | andnbsp; |
Technologie | andnbsp; | |
Tension - CC inverse (Vr) (Max) | 30 V | andnbsp; |
Courant - Redressé moyen (Io) | 200mA | andnbsp; |
Tension - Directe (Vf) (Max) @ If | 800 mV @ 100 mA | andnbsp; |
Vitesse | Petit signal =< 200mA (Io), n'importe quelle vitesse | andnbsp; |
Temps de recouvrement inverse (trr) | 5 ns | andnbsp; |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 2 µA @ 25 V | andnbsp; |
Capacitance @ Vr, F | 10pF @ 1V, 1MHz | andnbsp; |
Grade | - | andnbsp; |
Qualification | - | andnbsp; |
Type de montage | andnbsp; | |
Boîtier / Boîtier | andnbsp; | |
Boîtier du dispositif du fournisseur | SOD-80 MiniMELF | andnbsp; |
Température de fonctionnement - Jonction | 125 °C |
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Dessin
Notre avantage :téléphones, PDA, ordinateurs portables
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Liste de produits
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Circuit intégré, circuits intégrés de mémoire, diode, transistor,
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