Panneau de puce de circuit du transistor MOSFET FDS6676AS Intregrated de Powertrench de la Manche de N

Numéro de type:FDS6676AS
Point d'origine:Malaisie
Quantité d'ordre minimum:5pcs
Conditions de paiement:T/T à l'avance ou d'autres
Capacité d'approvisionnement:5000
Détails d'emballage:veuillez me contacter pour des détails
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Shenzhen Guangdong China
Adresse: Secteur de construction de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, Chine
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Panneau de puce de circuit du transistor MOSFET FDS6676AS Intregrated de Powertrench de la Manche de N

 

 

actions d'original de composants électroniques de PowerTrench FDS6676AS du N-Canal 30V

 

Description générale

Le FDS6676AS est conçu pour remplacer un transistor MOSFET SO-8 et une diode simples de Schottky dans synchrone

C.C : Approvisionnements d'alimentation CC. Ce transistor MOSFET 30V est conçu pour maximiser l'efficacité de conversion de puissance, fournissant un bas RDS (DESSUS) et la basse charge de porte. Le FDS6676AS inclut une diode intégrée de Schottky utilisant la technologie monolithique de SyncFET de Fairchild.

 

Applications

• Convertisseur de DC/DC

• Bas carnet latéral

 

Caractéristiques

• 14,5 A, 30 mΩ du max= 6,0 de V. le RDS (DESSUS) @ VGS = 10 mΩ du max= 7,25 de V le RDS (DESSUS) @ VGS = 4,5 V

• Inclut la diode de corps de SyncFET Schottky

• Basse charge de porte (45nC typiques)

• Technologie de fossé de haute performance pour extrêmement - le bas RDS (DESSUS) et la commutation rapide

• Puissance élevée et capacité de manipulation actuelle

Capacités absolues TA=25o C sauf indication contraire

SymboleParamètreÉvaluationUnité
VDSS Tension de Drain-Source30V
VGSSTension de Porte-Source±20V
Identification

Courant de drain – continu (note 1a)

                      – Pulsé  

14,5A
50
Palladium

Dissipation de puissance pour l'opération simple (note 1a)

                                                   (Note 1B)

                                                   (Note 1c)

2,5W
1,5
1
TJ, TSTGOpération et température ambiante de jonction de stockage– 55 +150°C

 

Caractéristiques thermiques

R deθJARésistance thermique, Jonction--Ambiante (note 1a)50W/°C
R deθJCRésistance thermique, Jonction--Cas (note 1)25

 

Inscription et information de commande de paquet

Repérage de dispositifDispositifTaille de bobineAttachez du ruban adhésif la largeurQuantité
FDS6676ASFDS6676AS13"12MM2500 unités
FDS6676ASFDS6676AS_NL13"12MM2500 unités

 

 

 

 

China Panneau de puce de circuit du transistor MOSFET FDS6676AS Intregrated de Powertrench de la Manche de N supplier

Panneau de puce de circuit du transistor MOSFET FDS6676AS Intregrated de Powertrench de la Manche de N

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