Porte sensible de puissance de transistor MOSFET du transistor BT136-600E de triacs complémentaires de thyristor

Numéro de type:BT136-600E
Point d'origine:La Chine
Quantité d'ordre minimum:4000pcs
Conditions de paiement:T/T, Western Union, paypal,
Capacité d'approvisionnement:240000PCS
Délai de livraison:jour 1
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Shenzhen Guangdong China
Adresse: Secteur de construction de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, Chine
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Porte sensible de puissance de transistor MOSFET du transistor BT136-600E de triacs complémentaires de thyristor

 

 

 

Caractéristiques de ‹

 

·Avec le paquet de TO-220AB

 

·Triacs passivés et sensibles en verre de porte sous enveloppe en plastique, destinée l'utilisation dans des applications bidirectionnelles d'usage universel de contrôle de commutation et de phase, où la sensibilité élevée est exigée dans chacun des quatre quarts de cercle.

 

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DONNÉES DE RÉFÉRENCE RAPIDE

SYMBOLE PARAMÈTRE  VALEUR UNITÉ
VDRMTension hors état maximale répétitive 600 V
VRRM Tension hors état maximale répétitive 600 V
SERVICE INFORMATIQUE (POIDS DU COMMERCE) Courant moyen de sur-état A
ITSM Courant maximal non répétitif de sur-état25 A
Tstg Température de stockage -45~150  

 

SYMBOLE DE BROCHAGE

Porte sensible de la série E des triacs BT136

 

DONNÉES MÉCANIQUES

 

China Porte sensible de puissance de transistor MOSFET du transistor BT136-600E de triacs complémentaires de thyristor supplier

Porte sensible de puissance de transistor MOSFET du transistor BT136-600E de triacs complémentaires de thyristor

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