Amplificateur équivalent d'usage universel du transistor KSP2907A PNP de transistor MOSFET de puissance

Numéro de type:KSP2907A
Point d'origine:Philippines
Quantité d'ordre minimum:20
Conditions de paiement:T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:20000
Délai de livraison:1
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Shenzhen Guangdong China
Adresse: Secteur de construction de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, Chine
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Amplificateur équivalent d'usage universel du transistor KSP2907A PNP de transistor MOSFET de puissance

 

 

Caractéristiques

• Tension de collecteur-émetteur : VCEO= 60V                

• Dissipation de puissance de collecteur : PC =625mW (maximum)

• Suffixe « - C » signifie un collecteur central (1.Emitter 2.Collector 3.Base)

• Non suffixe « - C » signifie un collecteur latéral (1.Emitter 2.Base 3.Collector)

• Disponible comme PN2907A

 

 

 

Capacités absolues * merci = 25°C sauf indication contraire

SymboleParamètreValeurUnités
VCBOTension de collecteur-base-60 V
VPRÉSIDENT Tension de collecteur-émetteur -60 V
VEBO Tension d'Émetteur-Base-5 V
ICCourant de collecteur -600 mA
TJLa température de jonction +150 °C

 

 

 

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Amplificateur équivalent d'usage universel du transistor KSP2907A PNP de transistor MOSFET de puissance

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