Transistor d'usage universel de transistor MOSFET/transistor d'usage universel de NPN

Numéro de type:KSP2907A
Point d'origine:Malaisie
Quantité d'ordre minimum:100PCS
Conditions de paiement:T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:6000pcs
Délai de livraison:jour 1
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Transistor d'usage universel de transistor MOSFET/transistor d'usage universel de NPN

 

 

Transistor d'usage universel

• Tension de collecteur-émetteur : VCEO= 60V

• Dissipation de puissance de collecteur : PC =625mW (maximum)

• Référez-vous KSP2907 pour des graphiques

 

Transistor épitaxial de silicium de PNP

Capacités absolues Ta=25°C sauf indication contraire

Unités de valeur de paramètre de symbole

Tension de collecteur-base de VCBO -60 V

Tension de collecteur-émetteur de VCEO -60 V

Tension -5 V d'Émetteur-Base de VEBO

Courant de collecteur d'IC -600 mA

Dissipation de puissance de collecteur de PC 625 mW

Température de stockage -55 | du °C TSTG de la température de jonction de TJ 150 °C 150

 

 

 DÉNI DE RESPONSABILITÉ

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POLITIQUE D'ASSISTANCE VITALE

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SymboleParamètreValeurUnités
VCBOTension de collecteur-base-60V
VCEOTension de collecteur-émetteur-60V
VEBOTension d'Émetteur-Base-5V
ICCourant de collecteur-600mA
PCDissipation de puissance de collecteur625mW
TJLa température de jonction150°C
TSTGTempérature de stockage-55°C

 

 

 

 

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