Composants originaux de FET IC de MOS de la Manche du silicium N du transistor 2SK1305

Numéro de type:2SK1305
Point d'origine:Japon
Quantité d'ordre minimum:20
Conditions de paiement:T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:30000
Délai de livraison:1
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Adresse: Secteur de construction de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, Chine
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Composants originaux de FET IC de MOS de la Manche du silicium N du transistor 2SK1305

 

 

 

FET TO-3P de MOS original de la Manche du silicium N du transistor 2SK1305

 

 

Caractéristiques

 

• Basse sur-résistance

• Commutation grande vitesse

• Courant de bas entraînement

• Le  de dispositif d'entraînement de porte de 4 V peut être conduit par la source de 5 V

• Approprié la commande de moteur, au convertisseur de DC-DC, au commutateur électrique et au solénoïde conduisez

 

 

Contour

 

 

Capacités absolues

ArticleSymboleÉvaluationUnité
Vidangez la tension de sourceVDSS100V
Porte la tension de sourceVGSS±20V
Vidangez le courantIdentification10A
Vidangez le courant de pointeIdentification (impulsion) *140A
Corps pour vidanger le courant de drain d'inverse de diodeDifférence interdécile10A
Dissipation de la ManchePch*225W
La température de la MancheTch150°C
Température de stockageTstg-50 +150°C

 

Notes : 1. Μs du ≤ 10 de picowatt, ≤ 1% de coefficient d'utilisation

2. Valeur comité technique = 25°C

 

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Composants originaux de FET IC de MOS de la Manche du silicium N du transistor 2SK1305

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