Offre d'actions de transistor à effet de champ de MOS du transistor 2SK3797 de Pin d'IC 3

Offre d'actions de transistor effet de champ de MOS du transistor 2SK3797 de Pin d'IC 3

type de MOS de N-Canal de silicium de transistor effet de champ 2SK3797  

Applications de régulateur de commutation

• Basse drain-source SUR la résistance : Le RDS (DESSUS) = 0.32Ω (type.)

• Accès de transfert en avant élevé : |Yfs| = 7,5 S (type.)

• Bas courant de fuite : IDSS = μA 100 (VDS = 600 V)

• Modèle d'amélioration : Vth = 2.0~4.0 V (VDS = 10 V, identifications = 1 mA)

Estimations maximum (merci = 25°C)

Caractéristiques thermiques

Note 1 : Assurez-vous que la température de canal ne dépasse pas 150°C pendant l'utilisation du dispositif.

Note 2 : VDD = 90 V, Tch = 25°C (initiale), L = 10,7 MH, IAR = 13 A, RG = Ω 25

Note 3 : Estimation répétitive : la durée d'impulsion a limité par la température maximum de canal que ce transistor est un dispositif sensible électrostatique. Manipulez avec soin.

Anterwell était construction en 2004, ce moment-l nous juste une petite entreprise comme une graine.

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