Module de diode de thyristor d'IC Netz de module d'alimentation de transistor MOSFET de contrôle de phase

Numéro de type:TT425N12KOF
Point d'origine:La Chine
Quantité d'ordre minimum:2PCS
Conditions de paiement:T / T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:300PCS
Délai de livraison:Offre courante
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Shenzhen Guangdong China
Adresse: Secteur de construction de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, Chine
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Module de diode de thyristor d'IC Netz de module d'alimentation de transistor MOSFET de contrôle de phase

 

 

powerblock du module IC TT425N12KOF

 

Elektrische Eigenschaften/propriétés électriques

Höchstzulässige Werte/valeurs évaluées maximum

 

Tensions hors état de Rckwärts-Spitzensperrspannung d'und de Periodische Vorwärts- et inverses en avant maximales répétitivesTvj = -40°C… Tvj maximumVDRM, VRRM

1000 1400

1200 1600

           1800

V

V

V

Tension hors état en avant maximale non répétitive de Vorwärts-StoßspitzensperrspannungTvj = -40°C… Tvj maximumVDSM

1000 1400

1200 1600

           1800

V

V

V

Courant maximum de sur-état de Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMSTvj =+25°C… Tvj maximumVRSM  
Courant maximum de sur-état de Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS ITRMSM800A
Sur-état moyen de Dauergrenzstrom actuel comité technique = 85°C comité technique = 74°C ITAVM 425 510 A A

Comité technique = 85°C

Comité technique = 74°C

 

425

510

A

A

Courant de montée subite de Stoßstrom-Grenzwert

Tvj = °C 25 tP = Mme 10

 Tvj = Tvj maximum tP = Mme 10

ITSM

14500

12500

A

A

T-valeur de ² de Grenzlastintegral I

Tvj = °C 25 tP = Mme 10

Tvj = Tvj maximum tP = Mme 10

I ² t

Un ² s

Un ² s

A

A

Taux critique de Kritische Stromsteilheit de hausse du courant de sur-étatLe CEI 747-6 DIN f = 50 hertz, iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µsCr (dIT/dt)

120

A/µs
Taux critique de Kritische Spannungssteilheit de hausse de tension hors étatTvj = Tvj maximum, vD = 0,67 VDRM 6.Kennbuchstabe/6ème lettre FCr (dvD/dt)1000V/µs

 

Elektrische Eigenschaften/propriétés électriques

Charakteristische Werte/valeurs caractéristiques

 

Temps d'arrêt commuté par circuit de FreiwerdezeitTvj = Tvj maximum, iTM = vRM d'ITAVM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM dvD/dt = 20 V/µs, - diT/dt = 10 A/µs 5.Kennbuchstabe/5ème lettre Otqtype 250µs
Tension d'essai d'isolation d'isolements-PrfspannungRMS, f = 50 hertz, t = 1 RMS minimum, f = 50 hertz, t = 1 secVISOL

3,0

3,6

Kilovolt

Kilovolt

 

Luftselbstkhlung/naturel refroidissant 1 Modul pro Khlkörper/1 module par radiateur Khlkörper/type de radiateur : Kilomètre 17 (120W) 

 

Verstärkte Khlung/a forcé refroidir 1 Modul pro Khlkörper/1 module par radiateur Khlkörper/type de radiateur : KM17 (Papst 4650N)

 

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