conducteur de module d'IC 7MBR75UB120-50 IGBT de module d'alimentation de transistor MOSFET de 1200V 75A PIM

Numéro de type:7MBR75UB120-50
Point d'origine:Japon
Quantité d'ordre minimum:3pcs
Conditions de paiement:T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:210pcs
Délai de livraison:1
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Shenzhen Guangdong China
Adresse: Secteur de construction de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, Chine
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conducteur de module d'IC 7MBR75UB120-50 IGBT de module d'alimentation de transistor MOSFET de 1200V 75A PIM

 

 

 

MODULE de 7MBR75UB120-50 IGBT (série d'U) 1200V/75A/PIM

 

Caractéristiques

. Bas VCE (reposés)

· Paquet compact

· P.C. Module de bti de conseil

· Circuit dynamique de frein de pont en diode de convertisseur

 

Applications

· Inverseur pour la commande de Motoe

· Amplificateur servo d'entraînement C.A. et de C.C

· Alimentation d'énergie non interruptible

 

Estimations et caractéristiques maximum

Capacités absolues (Tc=25°C sauf indication contraire)

 

ArticleSymboleConditionÉvaluationUnité
InverseurTension de collecteur-émetteurVces 1200V
Tension de Porte-ÉmetteurVges ±20V
Courant de collecteurICTc=25°C continu
Tc=80°C
75
50
A
ICP1ms Tc=25°C
Tc=80°C
150
100
- IC 75
- Impulsion d'IC1 Mme150
Disspation de puissance de collecteurPC1 dispositif275W
CourageuxTension de collecteur-émetteurVces 1200V
Tension de Porte-ÉmetteurVges ±20V
Courant de collecteurICTc=25°C continu
Tc=80°C
35
25
A
ICP1ms Tc=25°C
Tc=80°C
70
50
Disspation de puissance de collecteurPC1 dispositif160W
Tension inverse maximale répétitiveVrrm 1200V
ConvertisseurTension inverse maximale répétitiveVrrm 1600V
Courant de sortie moyenbonde sinusoïdale 50Hz/60Hz75A
Courant de montée subite (non répétitif)
L2t (non répétitifs)
IFSM
l2T
Tj=150°C, 10ms
demi onde sinusoïdale
520
1352
Un2S
La température de jonction fonctionnanteTj +150
Température de stockageTstg -40 +125
Isolement
tension
entre le terminal et le cuivre *2 basVisoC.A. : 1 minuteAC2500V
entre la thermistance et d'autres *3AC2500V
 Couple de vis de support  3,5 *1Nanomètre

 

Valeur *1 recommandable : 2,5 3,5 N·m (M5)

*2 tous les terminaux devrait être relié ensemble quand l'essai d'isolement sera fait.

Des terminaux de la thermistance *3 deux devraient être reliés ensemble, des terminaux devrait être relié ensemble et court-circuité l'embase quand l'essai d'isolement sera fait.

 

China conducteur de module d'IC 7MBR75UB120-50 IGBT de module d'alimentation de transistor MOSFET de 1200V 75A PIM supplier

conducteur de module d'IC 7MBR75UB120-50 IGBT de module d'alimentation de transistor MOSFET de 1200V 75A PIM

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