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conducteur de module d'IC 7MBR75UB120-50 IGBT de module d'alimentation de transistor MOSFET de 1200V 75A PIM
MODULE de 7MBR75UB120-50 IGBT (série d'U) 1200V/75A/PIM
Caractéristiques
. Bas VCE (reposés)
· Paquet compact
· P.C. Module de bti de conseil
· Circuit dynamique de frein de pont en diode de convertisseur
Applications
· Inverseur pour la commande de Motoe
· Amplificateur servo d'entraînement C.A. et de C.C
· Alimentation d'énergie non interruptible
Estimations et caractéristiques maximum
Capacités absolues (Tc=25°C sauf indication contraire)
| Article | Symbole | Condition | Évaluation | Unité | |
| Inverseur | Tension de collecteur-émetteur | Vces | 1200 | V | |
| Tension de Porte-Émetteur | Vges | ±20 | V | ||
| Courant de collecteur | IC | Tc=25°C continu Tc=80°C | 75 50 | A | |
| ICP | 1ms Tc=25°C Tc=80°C | 150 100 | |||
| - IC | 75 | ||||
| - Impulsion d'IC | 1 Mme | 150 | |||
| Disspation de puissance de collecteur | PC | 1 dispositif | 275 | W | |
| Courageux | Tension de collecteur-émetteur | Vces | 1200 | V | |
| Tension de Porte-Émetteur | Vges | ±20 | V | ||
| Courant de collecteur | IC | Tc=25°C continu Tc=80°C | 35 25 | A | |
| ICP | 1ms Tc=25°C Tc=80°C | 70 50 | |||
| Disspation de puissance de collecteur | PC | 1 dispositif | 160 | W | |
| Tension inverse maximale répétitive | Vrrm | 1200 | V | ||
| Convertisseur | Tension inverse maximale répétitive | Vrrm | 1600 | V | |
| Courant de sortie moyen | b | onde sinusoïdale 50Hz/60Hz | 75 | A | |
| Courant de montée subite (non répétitif) L2t (non répétitifs) | IFSM l2T | Tj=150°C, 10ms demi onde sinusoïdale | 520 1352 | Un2S | |
| La température de jonction fonctionnante | Tj | +150 | ℃ | ||
| Température de stockage | Tstg | -40 +125 | ℃ | ||
| Isolement tension | entre le terminal et le cuivre *2 bas | Viso | C.A. : 1 minute | AC2500 | V |
| entre la thermistance et d'autres *3 | AC2500 | V | |||
| Couple de vis de support | 3,5 *1 | Nanomètre | |||
Valeur *1 recommandable : 2,5 3,5 N·m (M5)
*2 tous les terminaux devrait être relié ensemble quand l'essai d'isolement sera fait.
Des terminaux de la thermistance *3 deux devraient être reliés ensemble, des terminaux devrait être relié ensemble et court-circuité l'embase quand l'essai d'isolement sera fait.