Semiconducteur MOSFET Complémentaire de transistors de puissance de silicium MJ15025G

Semiconducteur MOSFET Complémentaire de transistors de puissance de silicium MJ15025G

− MJ15023, MJ15025* DE PNP

Transistors de puissance de silicium

  Les MJ15023 et les MJ15025 sont des transistors de puissance de PowerBase conçus pour l'audio de puissance élevée, les positionneurs principaux de disque et d'autres applications linéaires.

Caractéristiques

• Région élevée d'opération sûre (100% examiné) −2 A @ 80 V

• HFE élevé de − de gain actuel de C.C = 15 (minute) @ IC = 8 CDA

• Les paquets de Pb−Free sont Available*

MJ1502x = code de dispositif

X = 3 ou 5

G = paquet de Pb−Free

A = emplacement d'Assemblée

Y = année

WW = semaine de travail

MEX = pays d'origine

            L'INFORMATION DE COMMANDE

   Il y a deux limitations sur la capacité powerhandling d'un transistor : la température de jonction moyenne et deuxième panne. Les courbes de secteur d'opération sûre indiquent des limites du − VCE d'IC du transistor qui doit être observé pour l'opération fiable ; c.--d., le transistor ne doit pas être soumis une plus grande dissipation que les courbes indiquent.

  Les données du schéma 1 sont basées sur TJ (PK) = 200C ; Le comité technique est variable selon des conditions. Aux températures de carter élevées, les limitations thermiques réduiront la puissance qui peut être manipulée aux valeurs moins que les limitations imposées par la deuxième panne.

CARACTÉRISTIQUES TYPIQUES

Anterwell était construction en 2004, ce moment-l nous juste une petite entreprise comme une graine.

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