Transistor MOSFET complémentaire en plastique de puissance de Darlington, transistors de puissance de silicium 2N6038
Numéro de type:2N6038
Point d'origine:Usine originale
Quantité d'ordre minimum:20
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Capacité d'approvisionnement:10000
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Shenzhen Guangdong China
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Secteur de construction de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, Chine
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Transistor MOSFET complémentaire en plastique de puissance de Darlington, transistors de puissance de silicium 2N6038
Des transistors de puissance complémentaires en plastique de silicium de Darlington sont conçus pour l'amplificateur d'usage universel et les applications de changement low−speed.
• Gain actuel élevé de C.C — hFE = 2000 (type) @ IC = 2,0 CDA
• Tension soutenante de collecteur-émetteur — @ mAdc 100
VPrésident(sus) = 60 volts continu (minute) — 2N6035, 2N6038 = 80 volts continu
(Minute) — 2N6036, 2N6039
• Capacité actuelle polarisée en aval I de deuxième panneS/b = 1,5 CDA @ 25 volts continu
• Construction monolithique avec les résistances intégrées d'émetteur de base la multiplication de LimitELeakage
• Paquet élevé de plastique du rapport TO-225AA de Représentation--coût d'économie de l'espace
| Évaluation | Symbole | Valeur | Unité |
Tension 2N6034 de Collector−Emitter 2N6035, 2N6038 2N6036, 2N6039 | VPRÉSIDENT | 40 60 80 | Volts continu |
Tension 2N6034 de Collector−Base 2N6035, 2N6038 2N6036, 2N6039 | VCBO | 40 60 80 | Volts continu |
| Tension d'Emitter−Base | VEBO | 5,0 | Volts continu |
Courant de collecteur continu Crête | IC | 4,0 8,0 | CDA Apk |
| Courant bas | IB | 100 | mAdc |
Dissipation totale de dispositif @ comité technique = 25°C Sous-sollicitez au-dessus de 25°C | PD | 40 320 | W mW/°C |
Dissipation totale de dispositif @ comité technique = 25°C Sous-sollicitez au-dessus de 25°C | PD | 1,5 12 | W mW/°C |
| Opération et température ambiante de jonction de stockage | TJ, stgde T | – 65 +150 | °C |
| Caractéristique | Symbole | Maximum | Unité |
| Résistance thermique, Junction−to−Case | RJC | 3,12 | °C/W |
| Résistance thermique, Junction−to−Ambient | RJA | 83,3 | °C/W |
Les efforts dépassant des estimations maximum peuvent endommager le dispositif. Les estimations maximum sont des estimations d'effort seulement. L'opération fonctionnelle au-dessus des conditions de fonctionnement recommandées n'est pas impliquée. L'exposition prolongée aux efforts au-dessus des conditions de fonctionnement recommandées peut affecter la fiabilité de dispositif.
| Caractéristique | Symbole | Minute | Maximum | Unité |
| OUTRE DES CARACTÉRISTIQUES | ||||
Tension soutenante de Collector−Emitter (IC = 100 mAdc, IB = 0) 2N6034 2N6035, 2N6038 2N6036, 2N6039 | VPrésident(sus) | 40 60 80 | -- -- -- | Volts continu |
Courant de Collector−Cutoff (VCE = 40 volts continu, IB = 0) 2N6034 (VCE = 60 volts continu, IB = 0) 2N6035, 2N6038 (VCE = 80 volts continu, IB = 0) 2N6036, 2N6039 | IPRÉSIDENT | -- -- -- | 100 100 100 | uA |
Courant de Collector−Cutoff (VCE = 40 volts continu, VBE () = 1,5 volts continu) 2N6034 (VCE = 60 volts continu, VBE () = 1,5 volts continu) 2N6035, 2N6038 (VCE = 80 volts continu, VBE () = 1,5 volts continu) 2N6036, 2N6039 (VCE = 40 volts continu, VBE () = 1,5 volts continu, comités techniques = 125C) 2N6034 (VCE = 60 volts continu, VBE () = 1,5 volts continu, comités techniques = 125C) 2N6035, 2N6038 (VCE = 80 volts continu, VBE () = 1,5 volts continu, comités techniques = 125C) 2N6036, 2N6039 | ICEX | -- -- -- -- -- -- | 100 100 100 500 500 500 | uA |
Courant de Collector−Cutoff (VCB = 40 volts continu, IE = 0) 2N6034 (VCB = 60 volts continu, IE = 0) 2N6035, 2N6038 (VCB = 80 volts continu, IE = 0) 2N6036, 2N6039 | ICBO | -- -- -- | 0,5 0,5 0,5 | mAdc |
| Courant d'Emitter−Cutoff (VBE = 5,0 volts continu, IC = 0) | IEBO | -- | 2,0 | mAdc |
| SUR DES CARACTÉRISTIQUES | ||||
Gain actuel de C.C (IC = 0,5 CDA, VCE = 3,0 volts continu) (IC = 2,0 CDA, VCE = 3,0 volts continu) (IC = 4,0 CDA, VCE = 3,0 volts continu) | hFE | 500 750 100 | -- 15 000 -- | -- |
Tension de saturation de Collector−Emitter (IC = 2,0 CDA, IB = mAdc 8,0) (IC = 4,0 CDA, IB = mAdc 40) | VCE(reposé) | -- -- | 2,0 3,0 | Volts continu |
Tension de saturation de Base−Emitter (IC = 4,0 CDA, IB = mAdc 40) | VSOYEZ(reposé) | -- | 4,0 | Volts continu |
Base−Emitter sur la tension (IC = 2,0 CDA, VCE = 3,0 volts continu) | VSOYEZ(dessus) | -- | 2,8 | Volts continu |
| CARACTÉRISTIQUES DYNAMIQUES | ||||
Small−Signal Current−Gain (IC = 0,75 CDA, VCE = 10 volts continu, f = 1,0 mégahertz) | |Fede h| | 25 | -- | -- |
Capacité de sortie (VCB = 10 volts continu, IE = 0, f = 0,1 mégahertz) 2N6034, 2N6035, 2N6036 2N6038, 2N6039 | Obde C | -- -- | 200 100 | PF |
Données enregistrées par JEDEC de *Indicates.
Transistor MOSFET complémentaire en plastique de puissance de Darlington, transistors de puissance de silicium 2N6038
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