Les transistors de transistor MOSFET de puissance du SILICIUM rf de NPN pour des amplificateurs de puissance de rf sur le VHF réunissent la radio mobile, 2SC1972

Numéro de type:2SC1972
Point d'origine:Usine originale
Quantité d'ordre minimum:20
Conditions de paiement:T / T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:8000
Délai de livraison:jour 1
Contacter

Add to Cart

Membre du site
Shenzhen Guangdong China
Adresse: Secteur de construction de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, Chine
dernière connexion fois fournisseur: dans 25 heures
Détails du produit Profil de la société
Détails du produit

Les transistors de transistor MOSFET de puissance du SILICIUM rf de NPN pour des amplificateurs de puissance de rf sur le VHF réunissent la radio mobile, 2SC1972

 

DESCRIPTION :

L'ASI 2SC1972 est conçu pour des amplificateurs de puissance de rf sur des applications par radio mobiles de bande de VHF.

 

LES CARACTÉRISTIQUES INCLUENT :

• Remplace 2SC1972 original dans la plupart des applications

• gain élevé réduit des conditions d'entraînement

• Paquet TO-220 économique

 

ESTIMATIONS MAXIMUM

IC3,5 A
VCBO35 V
PDISS25 W @ comité technique = °C 25
TSTG-55 °C au °C +175
θJC6,0 °C/W

 

 

CARACTÉRISTIQUES comité technique = °C 25

SYMBOLECONDITIONS D'ESSAIMINIMAL.TYPE.MAXIMUM.UNITÉS
PRÉSIDENTDE LA BVIC = 50 mA17  V
LA BVCBOIC = 10 mA35  V
LA BVEBOIC = 10 mA4,0  V
ICBOVCES = 25 V  100µA
IEBOVEB = 3,0 V  500µA
Fede hVCE = 10 V IC = 100 mA1050180---

ηC

P

Vcc = 13,5 V PDANS = 2,5 W f =175 mégahertz

60

14

70

15

 

%

W

 
China Les transistors de transistor MOSFET de puissance du SILICIUM rf de NPN pour des amplificateurs de puissance de rf sur le VHF réunissent la radio mobile, 2SC1972 supplier

Les transistors de transistor MOSFET de puissance du SILICIUM rf de NPN pour des amplificateurs de puissance de rf sur le VHF réunissent la radio mobile, 2SC1972

Inquiry Cart 0